Кущ Т.Ю., Воловник М.С. Основы английского языка для судовых электриков (1998)

Теперь проверьте: 1) Schottky-clamped TTL.circuits; 2) fully switch off; 3) mode; 4) frequency characteristics; 5) sweep away; 6) to cut off; 7) transfer; 8) power dissipation; 9) ns; 10) high speed; 11) clamping; 12) low forward voltage; 13) excess control current; 14) turn on; 15) to prevent the transistor from switching into saturation; 16) base region; .17) to store; 18/ excess carriers of charge; 19) t^rn-off time; 20) fall time of the output; 21) common; 22) lower forward voltage; 23) against noise voltages tending to switch on or off the circuit; 24) level of pulses; 25) supply voltage.

4. Изучив лексику задания 3, более полно и на английском языке выполните задания 1 и 2, стараясь не пользоваться подсказкой.

Текст 7

Part 5. IC MOS Logic

1. Thi§ is a popular family built on MOS field-effect transistors (FETs). Logic MOS circuits fall into two categories: static/ asynchronous & dynamic/synchronous. Static MOS circuits are similar to BJT logic circuits. Dynamic MOS circuits use clock pulses to make them operative in the synchronous mode. But the latter circuits did not find wide application.

2. The main component of a static MOS circuit is a static inverter or switch. The load in the switch circuit can be a linear resistor or a MOSFET which acts as a nonlinear resistor. The use of load transistors instead of high-value diffused resistors enables one to increase the packing density & to produce all elements in a single manufacturing cycle.

3. The switch uses single-type p-channel FETs, with the gate of the load transistor connected to the supply line. This is the basic switch of a wide class of MOS logic circuits.

4. A change in the input voltage by a certain value results in a variation of the output voltage from a high to a low level,. & vice versa. If, for instance, the input to the switch is a negative voltage sufficient to bias driving transistor into conduction, the output voltage will be close to zero.

5. If then the input is made to be at a voltage close to zero, the driving transistor will turn off & the voltage at the output will be high: If the high & low level of voltage correspond to logic H & L respectively, then the logic H input inverts to logic L output, & vice versa.

6. Simple MOS gates using p-channel FETs have two input transistors connected in series or in parallel; each driving a lo|id transistor. The circuits can perform NAND or NOR functioi^. They act as positive or negative.

7. In the circuit with the driver transistors connected in series, all the transistors are initially'off. If the input voltage on any one transistor is below the threshold level, this transistor remains off, as do other transistors in series with the first. Only if the input signals simultaneously arrive at the gates of all transistors can the-circuit perform the NAND function. The circuit can also operate as an inverter.

8. The speed of the logic gate with parallel-connected drivers is higher. If all the transistors are off, the output remains at a high level. If the input voltage on any one transistor is higher than the threshold value, this transistor turns on & the output drops to a low level. The gate thus realizes the NOR function.

Задаяия на развитие навыков ознакомительного чтения

1. Просмотрите текст, обращая внимание на основную мысль каждого абзаца.

2. При повторном просмотре текста озаглавьте каждый абзац. Затем сверьте с предлагаемым вариантом: 1) Подразделение логических схем. 2) Основа статического логического устройства -это инвертор или ключ. 3) Схема ключа/инвертора. 4) Изменение входного напряжения на вход инвертора. 5) Дополнительные сведения о напряжении. 6) Простейшие статические логические схемы. 7) Схемы с последовательным соединением. 8) Схемы с параллельным включением.

3. Определите какой абзац является основным.

4. Объясните порядок расположения абзацев, как они логически соотносятся друг с другом. ( Понимание расположения абзацев облегчит вам чтение любого текста в дальнейшем.)

Теперь проверьте себя: Абзацы 1 и 2 объединяет понятие “статический”. 2 и 3 - “нагрузочный”. 3 и 4 - “ключ/инвертор” и вводные слова абзаца 5 “если затем”. 6 и 7 - многоразовое употребление понятия “схема” и противопоставление “последовательное” и“параллельное”.

5. Можете ли вы теперь дать более точное название тексту? Согласны ли вы с предложенным вариантом названий абзацев?

6. Есть ли второстепенные темы в тексте? Если есть, то, читая текст, выпишите лексико-тематические цепочки слов, распределяя их по двум колонкам: а) раскрывающие главную тему, б) относящиеся к второстепенным темам.

7. Выполнив предыдущие задания, напишите по-английски аннотацию этого текста. Можете воспользоваться заданием %к тексту 5.

8. В предлагаемой вам логической схеме текста£не достает нескольких пунктов. Закончите схему. (Схема включвет номера абзацев и ключевые слова.)

Согласны ли вы с предложенным вариантом схемы текста?

Ключ: 3 - p-channel load transistor; 4 - operation input; 8 -NOR function.

Задания для углубленном) знакомства с содержанием текста

9. Найдите в тексте английские эквиваленты руеских слов и словосочетаний. Пишите их на обоих языках.

1) интегральные микросхемы на МДП-транзисторах; 2) логи-

ческиесхемы на биполярных транзисторах; 3) статические; 4) дн-намические/тактируемые; 5) такт; 6) ключ/инвертор; 7) ключевая схема; 8) линейный; 9) использование транзисторов в качестве нагрузочных элементов; 10) высокоомный диффузный резистор; 11) повысить плотность компоновки; 12) единый; 13) управляющий транзистор.

Теперь проверьте: 1) 1C MOS logic; 2) BJT logic circits; 3) static; 4) dynamic; 5) clock pulse; 6) switch; 7) switch circuit; 8) linear; 9) the use of load transistors; 10) high-value diffused resistor; 11) to increase the packing density; 12) single; 13) driving transistor.