В Бессонов - Радиоэлектроника для начинающих (и не только)

Все основные и максимально допустимые параметры ПТ можно найти в справочниках по транзисторам.

4.4.3. Вольт-амперные характеристики ПТ

Они устанавливают зависимость тока стока I сот одного из напряжений U сиили U зипри фиксированной величине второго.

Статические стоковые характеристики ПТ с управляющим р-n -переходомпредставляют собой выраженную графически зависимость I с= φ( U си) при U зи= const. При U зи= 0 и малых значениях U ситок стока изменяется прямо пропорционально напряжению (начало участка АБ , рис. 4.24, а ). В точке Б из-за заметного сужения стокового участка канала и уменьшения его общей проводимости намечается некоторое отклонение характеристики от прямой линии.

Рис. 4.24. ВАХ ПТ с р-nпереходом и n-каналом:

а)стоковые; б)стоко-затворные

На участке БВ существенное сужение стокового участка канала и значительное уменьшение его общей проводимости замедляют рост тока I сс увеличением U си. В точке В при U CИ. нас= | U 3И. отс| ток стока достигает значения насыщения и при дальнейшем увеличении U сиостается почти неизменным. Этот ток называется начальным током стока I С. нач. При U CИ. пробвозникает электрический пробой стокового участка управляющего р-n -перехода и ток стока резко возрастает. При подаче некоторого отрицательного напряжения на затвор ( U зи< 0) управляющий р-n -переход расширяется, сужая токопроводящий канал, что приводит к уменьшению исходной проводимости канала и более пологому ходу начального участка данной статической стоковой характеристики. При этом значения U CИ. нас и I CИ. насуменьшаются. Несколько меньшим оказывается и напряжение электрического пробоя, так как обратное напряжение на стоковом участке управляющего р-n -перехода представляет собой сумму U си+ | U зи|. Аналогичный вид имеют и все остальные характеристики семейства. Геометрическое место точек, соответствующих перекрытию токопроводящего канала и наступлению режима насыщения на графике (рис. 4.24, а ), показано штриховой линией.

Статическая стоко-затворная характеристика (характеристика управления) I с= φ( U зи) приведена на рис. 4.24, б . Так как ПТ обычно работает в режиме насыщения, то, как правило, рассматривают стоко-затворную характеристику для этого режима работы. Начальный участок при U 3И. отссоответствует установлению в транзисторе остаточного тока I С. ост, имеющего значение несколько микроампер. При U зи= 0 значение тока стока достигает максимальной величины I C.max.

Статические стоковые характеристики МДП-транзисторовс индуцированным каналом имеют аналогичный характер (рис. 4.25).

Рис. 4.25. ВАХ ПТ с индукционным каналом р-типа: а)стоковые; б) стоко-затворные

При определенном напряжении | U ЗИ| < | U ЗИ. пор| канал находится практически в закрытом состоянии ( I С= I С. ост). При увеличении напряжения U ЗИ> U ЗИ. порпроисходит смещение тока насыщения в сторону увеличения. Начальный участок стоко-затворной характеристики при U ЗИ. порсоответствует I С= I С. ост, аналогично ПТ с р-n -переходом.

В МДП-транзисторе с индуцированным каналом с подложкой p-типа при U зи= 0 канал n — типа может находиться в проводящем состоянии. При некотором пороговом напряжении U ЗИ. пор< 0 проводимость канала значительно уменьшается. Статические стоковые характеристики в этом случае будут иметь вид, изображенный на рис. 4.26, а , а стоко-затворная характеристика пересекает ось ординат в точке со значением тока I С. нач(рис. 4.26, б ).

Рис. 4.26. ВАХ ПТ со встроенным каналом n-типа: а)стоковые; б)стоко-затворные

Особенностью МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа является возможность работы без постоянного напряжения смещения ( U зи= 0) в режиме как обеднения, так и обогащения канала основными носителями заряда. МДП-транзистор со встроенным каналом имеет вольт-амперные характеристики, аналогичные изображенным на рис. 4.26.