В Бессонов - Радиоэлектроника для начинающих (и не только)

Выходное сопротивление:

где R вн— внутреннее сопротивление входного источника сигнала.

Схема с общей базой редко используется, поэтому мы не будем приводить ее параметры.

Предельные параметры учитываются и при замене одного типа транзистора другим. Не рекомендуется, например, использовать высокочастотный транзистор там, где может работать низкочастотный. Высокочастотные транзисторы, как правило, очень чувствительны к перегрузкам, усилительные схемы на них подвержены самовозбуждению.

Для маломощных схем, работающих при малых коллекторных токах, необходимо выбирать маломощные транзисторы. Применение мощного транзистора в этом случае приведет к неустойчивой работе схемы. Кроме того, в первом каскаде высокочувствительных усилителей рекомендуется применять транзисторы с малым уровнем шумов.

При замене одного типа транзистора другим в УЗЧ целесообразно применять транзисторы со значением h 21э, не ниже, чем у заменяемого. При недостаточных методах стабилизации рабочей точки может потребоваться индивидуальный подбор сопротивления резистора в цепи базы для установки необходимого тока коллектора. При этом может оказаться, что заменяемый транзистор уже давно снят с производства или отсутствует в вашей «кладовке». В этом случае можно подобрать транзистор другого типа той же структуры с аналогичными или близкими параметрами. Для подбора таких транзисторов следует использовать справочник по транзисторам. Кроме того, в этом случае можно воспользоваться табл. 4.7, в которой транзисторы размещены по своему основному назначению, а последовательность размещения в группах такова, что все последующие транзисторы заменяют предыдущие. Возможна и обратная замена, когда предыдущий транзистор заменяет последующий из той же группы, но в этом случае качество работы каскада может ухудшиться. В скобках указаны транзисторы, снятые с производства.

Низкочастотные транзисторы в группах расположены с учетом возрастания гарантированного значения коэффициента h 21э. Высокочастотные транзисторы расположены в группах в порядке возрастания предельной частоты. Это связано с тем, что на высоких частотах усиление транзистора тем больше, чем выше его предельная частота.

Может оказаться, что транзисторов, пригодных к замене, у вас не оказалось. Тогда можно взять транзистор той же структуры и из того же полупроводникового материала, но более высокой частоты или мощности. Возможны и другие замены, например, германиевого транзистора кремниевым, и, наоборот. Но при этом почти всегда возникает необходимость скорректировать режим работы ступени усиления.

В тех случаях, когда необходимо произвести замену транзисторов, работающих в портативных радиовещательных приемниках, можно воспользоваться табл. 4.8. В ней обобщены сведения о транзисторах, применяемых в каскадах приемников различной ступени сложности с учетом их возможной взаимозаменяемости.

В табл. 4.9 и 4.10 даны рекомендации по замене транзисторов малой и большой мощности соответственно. Использование приведенных аналогов потребует, как правило, подбора деталей.

В некоторых случаях, особенно при использовании эмиттерных повторителей, усиление по току одного транзистора оказывается недостаточным. В этом случае можно применять составные транзисторы. Они применяются в случаях, когда требуется большой коэффициент усиления по току, т. е. применяются в схемах, работающих с большими токами (например, в стабилизаторах напряжения или выходных каскадах усилителей мощности, если необходимо обеспечить большое входное сопротивление).