В Бессонов - Радиоэлектроника для начинающих (и не только)

3. Объяснить назначение элементов двухкаскадного усилителя (рис. 6.13). Какие элементы можно использовать для регулировки коэффициентов усиления первого и второго каскадов, коэффициента частотных искажений, коэффициента обратной связи?

Рис. 6.13. Схема двухкаскадного УЗЧ

4. В полосе пропускания допустимые изменения коэффициента усиления К дбне должны превышать 13 дБ. Каким процентным изменениям коэффициента усиления К соответствуют эти изменения?

5. В схеме каскада (рис 6.14) произошел обрыв шунтирующего конденсатора С э. Останутся ли при этом неизменными коэффициент усиления по напряжению и входное сопротивление?

Рис. 6.14. Схема однокаскадного УЗЧ

6. На вход усилителя мощности (рис 6.15), работающего на нагрузку R н= 9,2 Ом, поступает гармонический сигнал U вх= 10 В. Определить мощность, отдаваемую усилителем в нагрузку, приняв максимальное напряжение на эмиттерном переходе открытого транзистора U БЭ mах= 0,8 В.

Рис. 6.15. Схема двухтактного усилителя мощности

7. Какой операционный усилитель (ОУ) называется идеальным? Почему в схеме ОУ предусматривают два источника питания: с положительным (+ Е п) и отрицательным (- Е п) постоянными напряжениями относительно нулевой общей точки схемы, которая заземляется? (рис. 6.16).

Рис. 6.16. Схема УЗЧ на операционном усилителе

8. На рис. 6.17 показано подключение к УЗЧ с выходным сопротивлением = 8 Ом восьми четырехомных динамических головок. Правильно ли соединены между собой динамические головки?

Рис. 6.17. Правильно ли соединены между собой динамические головки?

9. При частоте подводимого напряжения f = 1000 Гц мембрана головного телефона колеблется также с частотой 1000 Гц (рис. 6.18). С какой частотой будет колебаться мембрана при той же частоте подводимого напряжения, если вместо постоянного магнита поставить сердечник из мягкого железа?

Рис. 6.18. Схема капсуля головного телефона

По технологии изготовления интегральные микросхемы (ИМС) делят на гибридные, пленочные и полупроводниковые.

У полупроводниковых микросхем все активные и пассивные элементы выполнены в объеме и на поверхности кристалла полупроводника. В пленочной ИМС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов на поверхности диэлектрической подложки. В гибридных микросхемах токонесущие проводники, резисторы, обкладки конденсаторов представляют собой пленки определенных размеров и электрических свойств, нанесенных на диэлектрическую подложку, на которую устанавливают диоды, транзисторы (как правило кремниевые структуры n-p-n ), но без корпусов.

По функциональному назначению микросхемы делят на аналоговые (или линейно-импульсные) и логические (или цифровые). Аналоговые микросхемы используются для усиления, генерирования, преобразования электрических сигналов в приемниках, телевизорах и т. д. Логические (цифровые) микросхемы используются в ЭВМ, различных цифровых приборах и т. д.

Изучение лучше начать с аналоговой полупроводниковой микросхемы широкого применения К118УН1Б (серия К122 отличается только конструктивным оформлением). Принципиальная схема этой микросхемы изображена на рис. 7.1, а , вид корпуса — на рис. 7.1, б , принципиальная схема УЗЧ на этой микросхеме — на рис. 7.2.

Рис. 7.1, а Принципиальная схема микросхемы К118УН1Б