Михаил Гук - Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Запоминающее ядро микросхем имеет многобанковую организацию — 64-мегабитные микросхемы имеют 8 банков, 256-мегабитные — 32 банка. Каждый банк имеет собственные усилители считывания, благодаря чему в микросхеме может быть активировано несколько банков. Для сокращения числа усилителей применяют и их разделение (совместное использование) парой смежных байт, что накладывает ограничения на их совместную активацию (до активации банка его смежник должен быть заряжен). Разрядность ядра 16 байт — 128 или 144 (с контрольными разрядами) бит. Ядро работает на 1/8 частоты канала, взаимодействие с ядром осуществляется по внутренним сигналам RASи CAS. В современных RDRAM применяются ячейки памяти с временем доступа 40–53 нс.

Канал RDRAM (Rambus Channel) представляет собой последовательно-параллельную шину. Такая организация позволяет ограничить количество линий интерфейса, что, в свою очередь, позволяет упорядочить разводку проводников ради повышения частоты передачи сигналов. Небольшое количество сигналов дает возможность выровнять задержки распространения сигналов по разным линиям и применить сверхбыстродействующие интерфейсные схемы. Тактовая частота канала — до 400 МГц, стробирование информации осуществляется по обоим фронтам синхросигнала. Таким образом, пропускная способность одной линии составляет 800 Мбит/с. Канал состоит из 30 основных линий с интерфейсом RSL (Rambus System Logic) и 4 вспомогательных линий КМОП, используемых для инициализации микросхем. Структура канала изображена на рис. 7.8. На канале может быть установлено до 32 микросхем, все микросхемы соединяются параллельно. Для того чтобы контроллер мог адресоваться к определенной микросхеме, каждой из них назначается уникальный адрес DEVID. Нумерация микросхем (Device Enumeration) осуществляется в процессе инициализации, который выполняется с использованием вспомогательного последовательного КМОП-интерфейса. Этот интерфейс имеет линии синхронизации SCK, команд CMD, данных SIO.

Рис. 7.8. Память Direct RDRAM

Синхросигнал вводится в канал с «дальнего конца» и распространяется в сторону контроллера по линии СТМ(Clock To Master). По этому сигналу микросхемы памяти стробируют данные, посылаемые к контроллеру (при чтении). Дойдя до контроллера, синхросигнал выходит на линию CFM(Clock From Master) и идет по каналу до терминатора, установленного на конце. По этой линии синхронизируется информация, посылаемая от контроллера к микросхемам памяти. Микросхемы привязывают данные чтения к синхросигналу с помощью встроенных схем DLL (Delay Locked Loop) для автоподстройки задержки сигнала DQSотносительно CLK.

Физический уровень интерфейса учитывает волновой характер процессов распространения сигналов в канале. Интерфейс RSL имеет малый размах сигнала: уровню логический 0 соответствует потенциал терминаторов V TERM= 1,8 В, лог. 1 — потенциал 1,0 В. Передатчики имеют выход типа «открытый сток N-МОП» и активны при передаче логической единицы. Передатчики управляют значением генерируемого тока с тем, чтобы обеспечить требуемый уровень сигнала (падение напряжения на сопротивлении терминатора). Уровень переключения приемника V REF= 1,4 В задается делителем напряжения V TERM. Сигнал синхронизации передается в дифференциальной форме по линиям СТМ, CTMNк контроллеру и по линиям CFM, CFMNот него. Дифференциальная форма снижает погрешность стробирования, вызванную смещением уровней сигналов.

Канал разделен на три независимые шины : 3-битная шина строк ROW[2:0], 5-битная шина колонок COL[4:0]и двухбайтная (2×9 бит) шина данных DQA[8:0]и DQB[8:0]. Дополнительный бит байта данных (имеется не у всех микросхем RDRAM) может использоваться для контроля достоверности. По каждой шине информация передается пакетами, занимающими 4 такта (8 интервалов) синхронизации (10 нс). Пакет содержит 8 элементов; пакет строк имеет емкость 24 бит, колонок — 40 бит и данных — 16 байт по 8 или 9 бит.

Высокая производительность шины управления (строк и колонок) позволяет отказаться от пакетных (в терминологии BEDO и SDRAM) передач и упростить протокол шины. Память может одновременно обслуживать до четырех транзакций на полной скорости передачи данных.

Транзакции чтения приведены на рис. 7.9, по виду они аналогичны транзакциям SDRAM с тем лишь отличием, что за время одного такта (SDRAM) передается пакет . Пакет ROWдля второй транзакции пропущен, поскольку страницу оставили открытой. Транзакция чтения со стороны контроллера представляет собой петлю: он посылает пакеты ROWAи COLC, которые за некоторое время достигают целевой микросхемы и ею обрабатываются за время T CAC. Далее микросхема отвечает пакетом данных, которому для достижения контроллера также требуется некоторое время. Пакетам для путешествий к дальним микросхемам и от них требуется больше времени, чем для путешествий к ближним, и эта разница оказывается большей, чем длительность периода синхронизации. Для того чтобы контроллер получал ответ на транзакцию чтения от любой микросхемы через одно и то же число тактов, у микросхем памяти устанавливают разную задержку данных относительно пакетов COLC. Группы соседних микросхем, у которых программируется одинаковая задержка, называют доменами синхронизации . В канале может быть несколько доменов синхронизации.