STMicroelectronics была основана в Европе, наши сотрудники в основном европейцы, и мы хотим сохранить за ними возможность работать в Европе и дальше. Поэтому мы взяли на себя определенную социальную ответственность по сохранению микроэлектронных производств в Европе. Причем самые современные технологии мы развиваем именно в Европе, а в Азию переносим проверенные, отработанные. Размещение производства в Европе имеет важное преимущество. Большая часть научных исследований проводится в Европе, поэтому очень удобно иметь производственные мощности в непосредственной близости от научно-исследовательских центров. К тому же рядом и наши конечные потребители — автомобилестроители и производители телекоммуникаций. Кроме того, в Европе мы много инвестировали в автоматизацию производства с целью повышения качества и производительности и добились существенного прогресса. В результате одно из преимуществ стран Азии теряется — сейчас становится выгодно иметь производство в Европе.
Наше сотрудничество с «Ситроникс Микроэлектроникой», в частности с зеленоградским «Микроном», в том числе призвано сохранить микроэлектронное производство в Европе.
— Как бы вы оценили современное состояние микроэлектроники и перспективы ее развития?
— Диаграмма добавленной стоимости, получаемой при производстве изделий, содержащих микроэлектронику, представляет собой перевернутую пирамиду, в основании которой находится полупроводниковое производство с добавленной стоимостью 298 миллиардов долларов, а на верхнем ярусе — провайдеры телекоммуникационных и интернет-услуг, которые производят почти 7 триллионов долларов добавочной стоимости, то есть порядка 10 процентов мирового валового продукта.
Микроэлектроника проникла во все области экономики. С одной стороны, дальнейшая миниатюризация — уже достигнут уровень проектных норм порядка 20 нанометров — позволяет решать все больше задач в вычислительной технике и системах связи, в энергетике, измерительных системах, радиолокации. Однако каждый шаг прогресса в области микроэлектроники оборачивается все большими затратами и на производство, и на НИОКР.
Для перехода на новые проектные нормы нужны 300-миллиметровые пластины вместо 200-миллиметровых, при этом стоимость производства увеличивается до 4–5 миллиардов долларов. В дальнейшем придется перейти на 400-миллиметровые пластины, и стоимость возрастет еще в два раза — до 10 миллиардов долларов. Таким образом, можно говорить об экспоненциальном росте стоимости производства микроэлектроники.
Растут и затраты на НИОКР. Для перехода на проектный уровень 32 нанометра фабрики, работающей на 300-миллиметровых пластинах, потребовался миллиард долларов. Затраты на дальнейшую миниатюризацию настолько велики, что без кооперации нескольких партнеров, заинтересованных в сохранении своей конкурентоспособности, уже не обойтись.
Параллельно уменьшается количество производителей, которые могут соответствовать постоянно растущим требованиям к производственно-технологическим нормам. Например, уровень 130 нанометров сейчас могут поддержать около 20 производителей. С уменьшением проектных норм уменьшается количество производителей. Уровень 20 нанометров сегодня доступен лишь четырем производителям.
— В последнее время постоянно обсуждаются перспективы развития электроники, поскольку видны пределы закона Мура. Насколько традиционная электроника исчерпала себя и какие новые технологии позволяют рассчитывать на ее развитие в будущем?
— Мы не видим никаких проблем с дальнейшей миниатюризацией — уменьшением размера транзистора — в следующем десятилетии. Я думаю, нам удастся найти решение, чтобы отодвигать предел закона Мура на все более дальнюю перспективу. Проблема, собственно, не в размере транзистора, а в его структуре и используемых материалах.
STMicroelectronics разработала новую технологию — FD SOI, которая использует традиционную планарную структуру транзистора, но со слоем SOI (кремний на изоляторе), что делает транзистор более высокопроизводительным и менее энергопотребляющим; эта технология создана для микросхем с топологией 28 нанометров, но также может быть использована для микросхем с 10 нанометрами.
Читать дальше
