Л. — Разумеется, именно поэтому я только что сказал тебе о трудности делить на 13 и тем более на 15 или на 17… А вот разделить на 14 было бы значительно легче, чем на 13.
Деление на 2
Н. — Вот о чем я сейчас подумал: если потребовалось бы разделить частоту на 2, работа была выполнена бы почти безукоризненно, так как мультивибратор срабатывал бы от каждого поступающего на вход импульса.
Л. — Ты совершенно прав, Незнайкин. Но сейчас я расскажу тебе о совершенно безупречном способе деления на 2, который никак не зависит от частоты. Я познакомлю тебя с новым устройством — с триггером с двумя устойчивыми состояниями, носящим еще название триггера Экклеса — Джордана. Вот тебе схема этого устройства (рис. 82).
Рис. 82. Схема триггера с двумя устойчивыми состояниями; диоды пропускают синхронизирующий импульс на тот из транзисторов, который находится в состоянии насыщения.
Н. — Ой, ой! Какая она сложная!
Л. — Может быть и сложная, но разобраться в ней совсем нетрудно. Здесь ты увидишь некоторую аналогию с мультивибратором (см. рис. 78). Когда один из транзисторов пропускает ток, он напряжением своего коллектора воздействует на базу другого транзистора. В отличие от мультивибратора здесь мы имеем прямую связь между каждым коллектором и базой противоположного транзистора. Так, например, если ток пропускает транзистор Т 1 (если возможно в состоянии насыщения), потенциал его коллектора очень низкий. С помощью делителя напряжения R 3— R 4 он придает потенциалу базы Т 2 небольшую отрицательную величину, что надежно запирает транзистор Т 2 . Но когда запертым оказывается транзистор Т 1 , потенциал его коллектора близок к +Е и делитель из резисторов R 3— R 4 будет стремиться создать на базе Т 2 положительное напряжение. Как только база станет положительной, ток базы подрежет сверху напряжение, подводимое к ней через резисторы R 3 и R 4 .
Н. — Уф, хотя я и очень внимательно следил за твоим рассказом, числовой пример принес бы мне немалую пользу.
Режимы работы триггера с двумя устойчивыми состояниями
Л. — Согласен, я полагаю, что ты будешь доволен, если посмотришь на рис. 82; там в скобках я указал напряжение питания +Е , равное 12 в, напряжение смещения — U c (в нашем случае — 6 в), а также номиналы резисторов. Предположим, что ток пропускает транзистор T 1 , находящийся в состоянии насыщения. Отсюда следует, что потенциал его коллектора упал почти до нуля, а ток коллектора близок к 4 ма, потому что питание на этот коллектор подается от источника с напряжением 12 в через резистор R 1 с сопротивлением 3 ком. Два равные по сопротивлению резистора R 3 и R 4 создают на базе Т 2 потенциал, близкий к —3 в, т. е. транзистор Т 2 надежно заперт.
А теперь предположим, что заперт транзистор T 1 . Тогда потенциал его коллектора близок к +12 в, делитель из резисторов R 3— R 4 стремится повысить потенциал базы транзистора Т 2 до +3 в. Само собой разумеется, что напряжение на этой базе достигнет лишь +0,3 в (обычное значение напряжения база — коллектор в нормально проводящем германиевом триоде). В этих условиях легко рассчитать, какой ток поступает на эту базу через резисторы R 1 и R 3 общим сопротивлением 23 ком; ток имеет величину: 12 в: 23 000 ом = 0,00052 а или 0,52 ма. В то же время через резистор R 4 течет ток, равный 6 в: 20 000 ом = 0,0003 а или 0,3 ма. База же получает разность этих токов или 0,52 ма — 0,3 ма = 0,22 Если коэффициент усиления транзистора по току превышает 20, можно с уверенностью сказать, что мы довели транзистор до состояния насыщения, ибо максимальный ток его коллектора равен 4 ма.
Н. — Хорошо, теперь я действительно вижу, что когда один из транзисторов твоей схемы пропускает ток, он запирает другой и, наоборот, запертый транзистор приводит другой в состояние насыщения. Но как узнать, какой из транзисторов будет заперт и какой будет находиться в состоянии насыщения?
Л. — А на этот вопрос, дорогой Незнайкин, я не могу ответить с желаемой тобой определенностью. Возможно, что запертым будет транзистор Т 1 , а Т 2 будет в состоянии насыщения, но одинаково возможен и случай, что в состоянии насыщения окажется Т 1 а Т 2 будет заперт.
Читать дальше