Жан-Поль Эймишен - Электроника?.. Нет ничего проще!

Как ты понимаешь, используя 16 колонок и 16 строк, можно создать сетку, именуемую «матрицей запоминающего устройства», содержащую при очень небольшом объеме 256 элементов.

Рис. 136. Квадратная матрица запоминающего устройства из ферритовых тороидальных сердечников. Пунктирной линией показан провод считывания, по которому снимают напряжения, когда запрашивают намагниченный сердечник, расположенный в точке пересечения двух проводов.

Н. — В самом деле очень хитрая система, но я не хотел бы быть на месте тех, кому придется делать такие матрицы, ведь эта работа для женщины с вязальными спицами.

Л. — Действительно, изготовлением матриц запоминающих устройств обычно занимаются женщины. А операцию сборки из-за определенной аналогии структуры матрицы со структурой ткани называют «ткачеством». Устанавливая параллельно большее количество матриц, создают комплексное запоминающее устройство, позволяющее записать очень большое число данных.

А теперь я хочу показать тебе еще одно интересное запоминающее устройство, в котором используются туннельные диоды.

Н. — Правда, я довольно плохо знаю эти приборы и совершенно не представляю, как можно их использовать для создания запоминающих устройств.

Л. — Туннельный диод при напряжении, превышающем некоторый уровень (скажем 0,4 в), ведет себя в проводящем направлении как обычный диод. А при напряжении ниже этого уровня при пропускании тока в том же направлении наблюдается совершенно парадоксальная картина — при снижении напряжения ток диода увеличивается. Характеризуя это явление, говорят о наличии зоны отрицательного сопротивления. Некоторому напряжению, именуемому пиковым напряжением, соответствует максимальное значение тока. При дальнейшем уменьшении напряжения ток очень быстро снижается до нуля. На рис. 137 я изобразил кривую, характеризующую изменение тока диода в зависимости от напряжения на его выводах. При питании такого туннельного диода заданным напряжением через соответствующим образом подобранный резистор можно получить систему с двумя устойчивыми состояниями.

Рис. 137. Вольт-амперная характеристика германиевого туннельного диода.

Н. — Но я совершенно не вижу, как можно получить такой результат!

Л. — Посмотри приведенную на рис. 138 схему.

Рис. 138. Схема использования туннельного диода в качестве запоминающего элемента.

На этот раз ты должен признать, что она не столь уж сложная. Попробуем определить ток I диода и напряжение на его выводах U . Иначе говоря, нам нужно найти такую пару значений I и U , которая одновременно устроила бы потребителя (туннельный диод) и поставщика электроэнергии (батарею с электродвижущей силой е и внутренним сопротивлением R ). Кривая требований потребителя приведена на рис. 137. Предписанные поставщиком соотношения величин U и I согласно закону Ома характеризуются прямой, которую ты знаешь под названием «нагрузочная прямая» или «нагрузочная характеристика». На рис. 139 я начертил вольтамперную характеристику туннельного диода и провел нагрузочную прямую; как ты видишь, пары значений U и I , соответствующие устойчивому состоянию, графически обозначены точками А и В .

Рис. 139. Три возможных состояния изображенной на рис. 138 схемы. Только точки Аи Всоответствуют устойчивым состояниям.

Н. — Туннельный диод, действительно, чудесный прибор; для создания схемы с двумя устойчивыми состояниями требуются всего лишь батарея, один резистор и один диод. Но что ты сделаешь с точкой С . Это еще одно возможное состояние?