Виктор Борисов - Юный радиолюбитель [7-изд]

Можно! Режим работы транзистора и в этом случае устанавливай временной цепочкой подстроечных резисторов, добиваясь наибольшей громкости звучания телефонов. Но теперь ток коллекторной цепи будет немного больше, чем с высокоомными телефонами. Но можно пойти по другому пути: в коллекторную цепь транзистора включить резистор, а головные телефоны, будь они высокоомными или низкоомными — безразлично, или капсюль ДЭМ-4м подключить через конденсатор параллельно участку эмиттер-коллектор транзистора, как показано на рис. 94.

Рис. 94. Схема усилителя с резистивной нагрузкой

В этом случае резистор R3 будет выполнять функцию нагрузки транзистора. Создающиеся на нем колебания звуковой частоты, т. е. низкочастотная составляющая коллекторного тока, через конденсатор С5 будут поступать к телефонам В1 и преобразовываться ими в звуковые колебания. Конденсатор С5 может быть электролитическим емкостью 1–5 мкФ на номинальное напряжение не менее, чем напряжение источника питания U и. п . В данном случае выводом отрицательной обкладки он должен подключаться к коллектору транзистора, а выводом положительной обкладки к телефонам.

Каким должно быть сопротивление нагрузочного резистора R3? Такое, чтобы в режиме покоя на коллекторе относительно эмиттера, т. е. на участке эмиттер-коллектор, было напряжение, равное примерно половине напряжения источника питания. При этом эффективность работы транзистора будет наилучшей. Такому условию отвечают резисторы сопротивлением в несколько килоом, обычно от 3 до 5,1 к Ом. И здесь режим работы транзистора устанавливай подбором сопротивления цепочки резисторов в его базовой цепи.

На этом, по существу, и заканчивается процесс налаживания усилителя. Остается только измерить омметром суммарное сопротивление временной цепочки резисторов, впаять в базовую цепь транзистора резистор такого же или ближайшего номинала, еще раз проверить работу приемника и смонтировать детали детекторного приемника и усилителя на постоянной панели. Но этим, если захочешь, ты займешься после нашей беседы, самостоятельно. Сейчас же я предлагаю проверить в работе несколько вариантов такого приемника.

Прежде всего — включи в цепь питания последовательно еще одну батарею 3336Л, чтобы увеличить напряжение источника питания до 9 В, и точно так же переменным резистором добейся наиболее громкого и неискаженного приема сигналов той же радиостанции. Теперь телефоны будут звучать немного громче. Это потому, что увеличивая напряжение источника питания, ты тем самым повышаешь напряжение на коллекторе транзистора и, следовательно, его усиление. Затем замени батарею питания одним элементом типа 332 или 343. Теперь, чтобы добиться наиболее громкого приема, сопротивление подстроечной цепочки резисторов придется уменьшить. Телефоны будут звучать тише.

Зависит ли громкость звучания телефонов от статического коэффициента передачи тока h 21э транзистора? Конечно, и значительно больше, чем от напряжения источника питания. А чем больше h 21э используемого транзистора и напряжение источника питания, тем больше должно быть сопротивление резистора в базовой цепи транзистора. В твоем распоряжении могут оказаться транзисторы с малым коэффициентом h 21э , например, равным 10–15. Транзистор с таким h 21э даст меньшее усиление низкочастотного сигнала и телефоны будут звучать тише. Но и в этом случае можно добиться громкого радиоприема, если в усилителе будет работать не один, а два таких транзистора. Соедини их так, как показано на рис. 95: коллекторы транзисторов вместе, а эмиттер первого транзистора V2 — c базой второго транзистора V3. Получится так называемый составной транзистор V2V3.

Рис. 95. Усилитель приемника с составном транзистором

Усиление составного транзистора приблизительно равно произведению h 21э входящих в него транзисторов. Так, например, если h 21э каждого из транзисторов 15, то общий коэффициент усиления составного транзистора будет около 200.

Проверь работу составного транзистора в твоем опытном приемнике. При этом учти: первым транзистором (V2) должен быть тот из составляемых транзисторов, у которого обратный ток коллекторного перехода I КБО меньше.