Александр Кульский - КВ-приемник мирового уровня? Это очень просто!

Рассмотрим функционирование этих стабилизированных источников на примере СН (стабилизатора напряжения) на +12,6 вольта. Он представляет собой стабилизированный источник напряжения компенсационного типа с последовательно включенным исполнительным регулирующим устройством, в качестве которого использован составной проходной транзистор (схема Дарлингтона). Проходной транзистор состоит из трех транзисторов, соответственно, VT4, VT5 и интегрального транзистора, входящего в состав транзисторной сборки 198НТ1 А, остальные интегральные транзисторы которой используются в схеме сравнения.

Как известно, схема Дарлингтона обладает очень высоким значением В ст. Величина которого 10000 и более. Таким образом, задаваясь значением максимального тока, отдаваемым СН в нагрузку, равного в нашем случае 0,4 ампера, нетрудно убедиться, что для этого достаточно, чтобы базовый ток интегрального транзистора, входящего в состав составного, был равен, примерно, всего 5 микроамперам!

Особенность работы данного стабилизатора напряжения (СН) заключается в том, что его функционирование проходит по основной формуле

I ст= 0,2 миллиампера.

Ток стока полевого транзистора VT3 является строго фиксированной и стабильной величиной. Во-первых, потому что VT3 и R6 представляют собой СТАБИЛИЗАТОР ТОКА уже по причине самой конфигурации их включения. Во- вторых, значение тока стока равное 0,2 миллиампера, в данном случае выбрано далеко не случайно. Эксперименты показали, что для Р-канального полевого транзистора типа КП103К, именно эта величина тока стока является «магической». То есть лежит в области особой, термостабильной точки проходной характеристики этого транзистора, ток стока в которой НЕ ЯВЛЯЕТСЯ функцией температуры в пределах от -40 до +85 °C! Вот по какой причине применение полевых транзисторов того же типа КП103, но других индексов, крайне нежелательно.

Более того, практика показала, что при построении СН этого типа, желательно иметь уже заранее подобранные пары (транзистор VT3 — резистор R6), поскольку для различных образцов полевого транзистора КП103К (2П103В) значение R6 может варьироваться.

Как легко видеть, базовый ток интегрального транзистора VT1 вызывает значительный коллекторный ток силового регулирующего (проходного) транзистора VT4, через который проходит ВЕСЬ ток, питающий нагрузку СН.

Пусть в силу ряда причин, значение нестабилизированного напряжения на входе СН — повысилось.

Ток стока вышеупомянутого полевого транзистора КП103К остался при этом прежним. Но выходное напряжение СН, в силу роста его входного напряжения, получает тенденцию к возрастанию. Однако, потенциал базы левого по схеме транзистора схемы сравнения (его выводы соответствуют номерам 14, 13 и 12 — см. рис. 28.10) ЖЕСТКО стабилизирован опорным напряжением, в точке 13 . И незначительное увеличение коллекторного напряжения этого транзистора — не изменит значения его коллекторного тока. А, следовательно, и значения его эмиттерного тока.

А это значит — и тех 50 % тока, которые приходятся на его долю и вместе с другими 50 %, которые обеспечивает правый по схеме транзистор (его выводы соответствуют номерам 10, 11 и 12 ) создают на общем для этой пары транзисторов эмиттерном резисторе R9 жестко застабилизированный потенциал U R9. Но если упомянутая выше тенденция к возрастанию выходного напряжения СН не способна изменить потенциал базы ЛЕВОГО по схеме транзистора эмиттерносвязанной пары транзисторов, то как раз о потенциале базы ПРАВОГО транзистора эмиттерносвязанной пары — этого сказать нельзя.

Через выходной делитель напряжения, образованный резисторами R9, R11 и R12, произойдет некоторое повышение потенциала базы. Вслед за этим, токовые режимы схемы претерпят следующие изменения. Во-первых, возрастет коллекторный ток правого транзистора пары. Но вот потенциал эмиттера этого транзистора — останется на прежнем уровне. Поскольку при этом левый транзистор просто соответственно уменьшит свою долю тока через R9.

Таким образом, каких-либо препятствий на УВЕЛИЧЕНИЕ своего коллекторного тока правый транзистор микросборки не имеет. Но, в свою очередь, даже это очень малое (а оно именно очень малым и будет) УВЕЛИЧЕНИЕ коллекторного тока правого транзистора, вызывает РАВНОЕ ЕМУ по абсолютной величине, УМЕНЬШЕНИЕ базового тока составного транзистора (см. основную формулу работы СН: I ст= I б VT'+ I к VT"= const!).