Яков Гегузин - Живой кристалл

Можно приблизительно оценить то внутреннее давление, которое «взрывает» цилиндр, заполненный положительными зарядами, расположенными вдоль траектории осколка. Допустим для простоты, что все ионы цилиндра несут один положительный заряд. Значит, они отталкиваются с силой

F ≈ e 2/ a 2

( a — межатомное расстояние). Если эту силу отнести к площади a 2 , приходящейся на один атом в решетке, мы получим интересующую нас оценку давления:

Р ≈ е 2/ a 4.

Так как е = 4,8• 10 -10г -1/2•см 3/2/с, a = 3•10 -8см, то Р ≈ 10 11дин/см 2. Мы получили давление огромное, безусловно достаточное, чтобы взрыв произошел и трек образовался! Здесь необходимо оправдать осторожность, подчеркнутую в одной из предыдущих фраз. Она обусловлена тем, что не обязательно все ионы вдоль цилиндрического канала окажутся задетыми пролетавшим осколком. В этом случае расстояние между отталкивающимися ионами l будет больше, чем a. По этой причине величина Р, которая ~ 1/ l 4, может оказаться малой, недостаточной для взрыва.

У читателя возникает недоумение: ведь осколок и в металле может разбросать электроны, и в металле может возникнуть цилиндрический сгусток положительного заряда, и в металле этот сгусток может взорваться. Оказывается, что образоваться такой цилиндр действительно может, а вот взорваться попросту не успеет, так как электроны, удаленные из цилиндра, из-за их большой подвижности возвратятся в цилиндр, нейтрализуют в нем заряд, а следовательно, устранят причину взрыва. Подвижность электронов в металле несравненно больше, чем в ионном кристалле, именно поэтому в металле взрыв не успеет произойти.

Если в ионном кристалле все происходит так, как мы это себе представили и описали в очерке, на интересующий нас вопрос применительно к ионному кристаллу ответ будет положительным: осколку в ионном кристалле создать трек суждено! В рассмотренных нами предельных ситуациях — металл и ионный кристалл — проблема «суждено ли?» прояснилась. А вот в иных структурах дело обстоит много сложней, и проблема остается проблемой.

До сих пор в очерках этой главы шла речь о «заселении» кристалла дефектами. В заключение главы поглядим на кристалл с иной точки зрения. Пусть он — не вместилище дефектов, а плацдарм их взаимодействия. Из общих соображений ясно, что не может не быть взаимодействия между дефектами. Кристалл, содержащий дефекты, будет стремиться к уменьшению энергии, связанной с ними. Если по какой-либо причине прямое, решение проблемы, состоящее в том, чтобы избавиться от дефектов, кристаллу недоступно, происходить будет другое: содержащиеся в нем дефекты будут взаимодействовать и превращаться так, чтобы их энергия уменьшилась.

Хочу вручить читателю ключ от проблемы взаимопревращения дефектов или, лучше, — указать путеводную ниточку, следуя которой можно понять уже наблюденные взаимопревращения дефектов, а иной раз и предвидеть принципиально мыслимые. Схематически дело обстоит несложно: оправданы и имеют смысл те взаимопревращения, которые ведут к уменьшению энергии. Надо оценить энергии дефектов до и после превращения, из первой энергии вычесть вторую, и, если получится положительная величина, значит, обсуждаемый процесс возможен. Это — критерий термодинамический. А вот осуществится этот процесс или нет — это вопрос иной. Совсем иной! Все зависит от того, существует ли соответствующий механизм, с помощью которого взаимопревращение дефектов, оправдываемое термодинамикой, может произойти. Быть может, дело будет обстоять так: этого механизма нет при комнатной температуре, но он появится при высокой температуре, нет при атмосферном давлении, но он появится при повышенном давлении, нет в спокойно лежащем кристалле, но механизм появится, если кристалл подвергнуть растяжению, или кручению, или сжатию, пли облучению, или вращению в центрифуге. Поиск механизма и условий его осуществления — дело выдумки и творческой фантазии ищущего. Но, как правило, если взаимопревращение двух данных дефектов в принципе целесообразно, необходимый механизм найдется!

Врученная читателю ниточка кажется не очень крученой и не очень длинной. Но вот правильно определить энергию до и после превращения дефектов часто оказывается делом непростым, так как следует учитывать не только энергию изолированных одиночных дефектов в здоровом кристалле, но и те условия, в которых они находятся. Например, приложенные к ним напряжения и др.