Марио Бертолотти - История лазера

Хотя полупроводники были известны давно, их физика была полностью понята только после изобретения транзистора в 1948 г. Можно тем самым понять, что были некоторые сомнения в возможности их использования для лазера. Во всяком случае полупроводники были первыми, рассмотренными как возможная среда для получения излучения путем стимулированного испускания. В то время были выдвинуты различные предложения. В 1954 г. Джон фон Нейман обсуждал с Джоном Бардиным (один из изобретателей транзистора) возможность использования полупроводников. Тремя годами позднее, в 1957 г., произошел подлинный взрыв. В Японии 22 апреля 1957 г. был выдан патент Ватанабе и Нишизава, в котором рассматривалось рекомбинационное излучение, получающееся при инжекции свободных носителей в полупроводнике. Позднее он был опубликован 20 сентября 1960 г. Патент назывался «полупроводниковый мазер», и, как пример, рассматривалось рекомбинационное свечение в теллуре на длине волны около 4 мкм, т.е. в ближнем ИК-диапазоне. Авторы наивно рассматривали полупроводник, помещенный в резонаторе, типичном для микроволновой области. Но концепция использовать инжекцию носителей и их рекомбинационное излучение была озвучена. В Линкольновской лаборатории MIT физик Бенжамен Лэкс провел в 1957 г. семинар с участием Пьера Эгрэна (1924—2002) из Парижа, и начались исследования переходов в группе энергетических уровней, которые возникают, когда полупроводник помещается в сильное магнитное поле (подобные тем, что работают в трехуровневом мазере Бломбергена). Идеи Эгрэна были представлены на международной конференции по физике твердого тела в электронике и телекоммуникациям. Она проходила в 1958 г. в Брюсселе, и на ней обсуждалась возможность использования полупроводников для продвижения мазерного эффекта в область оптических частот. Однако труды этой конференции не были опубликованы.

В бывшем Советском Союзе группа ученых Института им. П.Н. Лебедева (ФИАН) АН СССР, возглавляемая Н.Г. Басовым, в составе Б.М. Вула и Ю.М. Попова, начала в 1957 г. рассматривать возможность использования полупроводников для продвижения излучения мазера в оптический диапазон. Басов начал рассмотрение этой проблемы вместе с Поповым, который тогда работал в лаборатории люминесценции. Оба исследователя познакомились, когда были студентами в МИФИ. Физика полупроводников изучалась в ФИАНе в лаборатории полупроводников, которой руководил Бул. Поэтому он, естественно, принимал активное участие. В результате сотрудничества этих трех ученых появилось предложение лазерной системы с использованием электрического разряда. Оно было опубликовано в июне 1958 г. и обсуждалось Басовым на Западе на Первой конференции по квантовой электронике, организованной Таунсом в США. Этой работы не было в программе, и она была представлена на обеде (полупроводниковый лазер, работающий на этом принципе, был создан много позже, в 1968 г., в группе Басова). Позднее, в 1960-61 гг., эта группа предложила еще три метода возбуждения: электронный пучок, оптическая накачка и инжекция электронов через p-n-переход. Авторами этих предложений были Н.Г. Басов, Ю.М. Попов и О.Н. Крохин. Выполнялись также экспериментальные исследования. В 1959 г, в ФИАНе под руководством Басова была начата программа «Фотон», которая была первой научной программой в СССР по разработке лазеров.

Возможность использования полупроводников рассматривалась в США и обсуждалась в 1959 г. в MIT Кромером и Цайгером. В 1960 г. Бойль и Томас из Bell Labs получили патент на использование полупроводников для создания лазера.

Тем временем, в 1961 г., двумя французскими исследователями М. Бернардом и Г. Дурафургом из Национального исследовательского центра телекоммуникаций (CNET) был получен важный теоретический результат. Они представили полное и исчерпывающее обсуждение, из которого следовала возможность вынужденного излучения в полупроводниках благодаря переходам между зоной проводимости и валентной зоной. Были получены фундаментальные соотношения, из которых следовала возможность получить лазерный эффект. Они также рассмотрели некоторые материалы, в которых можно ожидать выполнение нужных условий, и предложили среди других материалов полупроводники GaAs (арсенид галлия) и GaSb (антимонид галлия). После публикации этой работы многие группы начали активные исследования. В январе 1962 г. российский ученый Д.Н. Наследов и его коллеги из Физико-технического института АН СССР (г. Ленинград) сообщили, что ширина линии излучения, испускаемого GaAs-диодами, демонстрирует некоторое уменьшение ширины при увеличении тока. Они предположили, что это могло указывать на вынужденное излучение. В США несколько групп из IBM, RCA, Линкольновской лаборатории MIT и General Electric (GE) начали соревновательную гонку, которая коротко описывается здесь.