Модули SO DIMM-144 pin
Модуль 144 pin SO DIMM — малогабаритный модуль (длина 2,35" — 60 мм) с двусторонним 144-контактным разъемом (рис. 7.16, табл. 7.20), емкость 8-64 Мбайт, разрядность данных — 64 или 72 бит ЕСС. Модули обеспечивают побайтное обращение по сигналам CAS[0:7]#
, сигнал RAS0#
выбирает банк 0, сигнал RAS1#
— банк 1 (при его наличии). Напряжение питания — 5 или 3,3 В, механический ключ напряжения питания расположен между контактами 59–60 и 61–62. Нечетные контакты находятся с фронтальной стороны, четные — с тыльной. Идентификация последовательная. Модули могут содержать микросхемы как DRAM, так и SDRAM, объем 8-256 Мбайт.
Рис. 7.16. Модули SO DIMM-144 pin
Таблица 7.20. Назначение выводов модулей SO DIMM-144 pin
Контакт |
Цепь¹ |
Контакт |
Цепь¹ |
Контакт |
Цепь¹ |
Контакт |
Цепь¹ |
1 |
VSS |
2 |
VSS |
71 |
RAS1# |
72 |
NC |
3 |
DQ0 |
4 |
DQ32 |
73 |
OE |
74 |
NC |
5 |
DQ1 |
6 |
DQ33 |
75 |
VSS |
76 |
VSS |
7 |
DQ2 |
8 |
DQ34 |
77 |
CB2 |
78 |
CB6 |
9 |
DQ3 |
10 |
DQ35 |
79 |
CB3 |
80 |
CB7 |
11 |
VCC |
12 |
VCC |
81 |
VCC |
82 |
VCC |
13 |
DQ4 |
14 |
DQ36 |
83 |
DQ16 |
84 |
DQ48 |
15 |
DQ5 |
16 |
DQ37 |
85 |
DQ17 |
86 |
DQ49 |
17 |
DQ6 |
18 |
DQ38 |
87 |
DQ18 |
88 |
DQ50 |
19 |
DQ7 |
20 |
DQ39 |
89 |
DQ19 |
90 |
DQ51 |
21 |
VSS |
22 |
VSS |
91 |
VSS |
92 |
VSS |
23 |
CAS0#/DQMB0 |
24 |
CAS4#/DQMB4 |
93 |
DQ20 |
94 |
DQ52 |
25 |
CAS1#/DQMB1 |
26 |
CAS5#/DQMB5 |
95 |
DQ21 |
96 |
DQ53 |
27 |
VCC |
28 |
VCC |
97 |
DQ22 |
98 |
DQ54 |
29 |
А0 |
30 |
A3 |
99 |
DQ23 |
100 |
DQ55 |
31 |
A1 |
32 |
A4 |
101 |
VCC |
102 |
VCC |
33 |
A2 |
34 |
A5 |
103 |
A6 |
104 |
A7 |
35 |
VSS |
36 |
VSS |
105 |
A8 |
106 |
A11 |
37 |
DQ8 |
38 |
DQ40 |
107 |
VSS |
108 |
VSS |
39 |
DQ9 |
40 |
DQ41 |
109 |
A9 |
110 |
A12 |
41 |
DQ10 |
42 |
DQ42 |
111 |
A10 |
112 |
A13 |
43 |
DQ11 |
44 |
DQ43 |
113 |
VCC |
114 |
VCC |
45 |
VCC |
46 |
VCC |
115 |
CAS2#/DQMB1 |
116 |
CAS6#/DQMB6 |
47 |
DQ12 |
48 |
DQ44 |
117 |
CAS3#/DQMB3 |
118 |
CAS7#/DQMB7 |
49 |
DQ13 |
50 |
DQ45 |
119 |
VSS |
120 |
VSS |
51 |
DQ14 |
52 |
DQ46 |
121 |
DQ24 |
122 |
DQ56 |
53 |
DQ15 |
54 |
DQ47 |
123 |
DQ25 |
124 |
DQ57 |
55 |
VSS |
56 |
VSS |
125 |
DQ26 |
126 |
DQ58 |
57 |
CB0 |
58 |
CB4 |
127 |
DQ27 |
128 |
DQ59 |
59 |
CB1 |
60 |
CB5 |
129 |
VCC |
130 |
VCC |
Ключ напряжения питания |
131 |
DQ28 |
132 |
DQ60 |
Ключ напряжения питания |
133 |
DQ29 |
134 |
DQ61 |
61 |
DU/CLK0 |
62 |
DU/CKE0 |
135 |
DQ30 |
136 |
DQ62 |
63 |
VCC |
64 |
VCC |
137 |
DQ31 |
138 |
DQ63 |
65 |
DU/RAS# |
66 |
DU/CAS# |
139 |
VSS |
140 |
VSS |
67 |
WE# |
68 |
NC/CKE1 |
141 |
SDA |
142 |
SCL |
69 |
RAS0#/S0# |
70 |
NC/A12 |
143 |
VCC |
144 |
VCC |
¹ DRAM/SDRAM
Модули DRAM cards-88 pin
Модули 88 pin DRAM cards — миниатюрные модули (3,37"×2,13"×0,13" — 85,5×54×3,3 мм) В пластиковом корпусе размером с карту PCMCIA (PC Card). Имеют 88-контактный разъем (не PCMCIA!), разрядность 18, 32 или 36 бит, емкость 2-36 Мбайт. Комплектуются микросхемами DRAM в корпусах TSOP. Информация о быстродействии и объеме передается по восьми выводам. Внутренняя архитектура близка к SIMM-72. Напряжение питания — 5 или 3,3 В. Применяются в малогабаритных компьютерах, легко устанавливаются и снимаются.
Статическая память — SRAM (Static Random Access Memory), как и следует из ее названия, способна хранить информацию в статическом режиме — то есть сколь угодно долго при отсутствии обращений (но при наличии питающего напряжения). Ячейки статической памяти реализуются на триггерах — элементах с двумя устойчивыми состояниями. По сравнению с динамической памятью эти ячейки более сложные и занимают больше места на кристалле, однако они проще в управлении и не требуют регенерации. Быстродействие и энергопотребление статической памяти определяется технологией изготовления и схемотехникой запоминающих ячеек.
Асинхронная статическая память ( Asynchronous SRAM, Async SRAM ), она же обычная, или стандартная, подразумевается под термином SRAM по умолчанию, когда тип памяти не указан.
Читать дальше