Михаил Гук - Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Динамическая память — DRAM (Dynamic RAM) — получила свое название от принципа действия ее запоминающих ячеек, которые выполнены в виде конденсаторов, образованных элементами полупроводниковых микросхем. При отсутствии обращения к ячейке со временем за счет токов утечки конденсатор разряжается и информация теряется, поэтому такая память требует периодической подзарядки конденсаторов (обращения к каждой ячейке) — память может работать только в динамическом режиме. Этим она принципиально отличается от статической памяти, реализуемой на триггерных ячейках и хранящей информацию без обращений к ней сколь угодно долго (при включенном питании).

Запоминающие ячейки микросхем DRAM организованы в виде двумерной матрицы. Адреса строки и столбца передаются по мультиплексированной шине адреса MA(Multiplexed Address) и стробируются по спаду импульсов RAS#(Row Access Strobe) и CAS#(Column Access Strobe). Состав сигналов микросхем динамической памяти приведен в табл. 7.1.

Таблица 7.1. Сигналы микросхем динамической памяти

Выбранной микросхемой памяти является та, на которую во время активности (низкого уровня) сигнала RAS#приходит сигнал CAS#(тоже низким уровнем). Тип обращения определяется сигналами WE#и CAS#. Временная диаграмма «классических» циклов записи и чтения приведена на рис. 7.1. Как из нее видно, при чтении данные на выходе относительно начала цикла (сигнала RAS#) появятся не раньше, чем через интервал T RAC, который и является временем доступа .

Рис. 7.1. Временные диаграммы чтения и записи динамической памяти

Микросхемы DRAM имеют множество временных параметров, из которых выделим несколько важнейших, с которыми иногда приходится сталкиваться при настройке параметров циклов в CMOS Setup.