В. Днищенко - 500 схем для радиолюбителей. Дистанционное управление моделями

В результате на коллекторе VT2 и входах 12, 13 элемента DD1.4 формируются положительные импульсы, длительность которых зависит от режима работы транзистора VT1. Дважды инвертированные элементом DD1.4 и транзистором VT3 импульсы открывают силовой ключ — полевой транзистор VT4. Эпюры напряжения в упомянутых выше точках устройства приведены на рис. 9.2.

Рис. 9.2. Напряжения в характерных точках

При открытом транзисторе VT4 ток в катушке индуктивности L1 нарастает по линейному закону. После запирания транзистора этот ток не прерывается и продолжает течь, спадая через диод VD1 и заряжая накопительный конденсатор С8. Установившееся напряжение на конденсаторе превышает напряжение питания во столько раз, во сколько время накопления энергии в магнитном поле катушки L1 (длительность положительных импульсов на затворе транзистора VT4, см. рис. 9.2) превышает время ее передачи в конденсатор С8 (длительность отрицательных импульсов там же).

Часть выходного напряжения с движка переменного резистора R14 подается на инвертирующий вход усилителя постоянного тока на ОУ DA2. На его неинвертирующий вход подано образцовое напряжение с резистивного делителя R4R5. Выходное напряжение ОУ, пропорциональное разности образцового и выходного (с учетом делителя R13R14) напряжения, поступает на базу транзистора VT1 и управляет длительностью импульсов, отпирающих транзистор VT4. Таким образом, образуется замкнутая цепь автоматического регулирования.

Если выходное напряжение снизилось (например в результате увеличения тока нагрузки), напряжение на инвертирующем входе ОУ уменьшится, а на его выходе — увеличится. В результате уменьшится эмиттерный ток транзистора VT1, протекающий через резистор R8, а это приведет к уменьшению и коллекторного тока транзистора. Конденсатор С5 будет перезаряжаться медленнее. Длительность открытого состояния транзистора VT4 возрастет, выходное напряжение преобразователя увеличится.

Напряжение питания основных узлов преобразователя стабилизировано интегральным стабилизатором DA1.

Устройство собрано на односторонней печатной плате размерами 70x55 мм, показанной на рис. 9.3. Подстроечный резистор R14 — СП3-38Б или РП1-63М. Остальные пассивные элементы — любого типа, подходящие по параметрам и габаритам.

Рис. 9.3. Печатная плата преобразователя

В качестве микросхемы DD1 кроме K561ЛA7 можно использовать K561TЛ1, прочие микросхемы серии К561 при напряжении питания 3 В работают неустойчиво. По той же причине не следует заменять микросхему К140УД608 (DA2) другими ОУ. Транзисторы VT2, VT3 могут быть любыми серий КТ315 или КТ3102, a VT1 — серий КТ361, КТ3107.

КПД преобразователя заметно падает с увеличением падений напряжения на диоде VD1 и на открытом транзисторе VT4. Последнее пропорционально приводимому в справочниках сопротивлению канала открытого транзистора. Поэтому, подбирая замены указанным транзистору и диоду, следует обращать особенное внимание на эти параметры. Напряжение отсечки полевого транзистора должно быть не более 4 В.

Амплитудное значение коммутируемого им тока в рассматриваемом случае значительно больше тока нагрузки, поэтому транзистор следует выбирать с допустимым током стока не менее 6 А. Если под нагрузкой транзистор VT4 заметно нагревается, его необходимо снабдить теплоотводом, место для которого на плате предусмотрено. Диод VD1 должен быть рассчитан на прямой ток не менее 10 А. Использованный в схеме КД2998В можно заменить на КД213А.

Катушка L1 индуктивностью 18–20 мкГн должна иметь малый магнитный поток рассеивания, поэтому для нее выбран броневой магнитопровод Б-26 из феррита М1500НМ. Обмотку из 5 витков жесткого изолированного провода диаметром 1,5–2 мм наматывают на оправке подходящего диаметра, сняв с оправки, защищают слоем изоляционной ленты и помещают в магнитопровод. Между его чашками необходим немагнитный зазор 0,2 мм.

Изоляционную прокладку соответствующей толщины укладывают между центральными кернами чашек. Это предотвращает их поломку при стягивании магнитопровода винтом. К плате катушку L1 крепят лежащей на боку, что позволяет немного уменьшить площадь платы. Выводы обмотки вставляют в соответствующие отверстия и припаивают к контактным площадкам.