Роберт Хайнеманн - Визуальное моделирование электронных схем в PSPICE

Посмотрев на эту диаграмму, специалист сразу определит: шум в данной схеме, хотя его частотные компоненты и меньше полезного сигнала почти в 2000 раз, в целом настолько сильный, что будет создавать значительные звуковые помехи. Следовательно, необходимо выявить основную причину возникновения шума, а затем изменить схему таким образом, чтобы он уменьшился. В выходном файле вы найдете подробные данные относительно того, какой вклад вносят в полный шум резисторы и параметры транзистора (см. листинг). Например, из таблицы для частоты f=100 кГц вы узнаете, что значительное влияние на возникновение шумов оказывает внутреннее сопротивление источника напряжения. И здесь у разработчиков есть немало возможностей для оптимизации.

FREQUENCY = 1.000Е+05 HZ

**** TRANSISTOR SQUARED NOISE VOLTAGES (SQ V/HZ)

Q_V1

RB 0.000E+00

RC 1.424E-22

RE 0.000E+00

IBSN 1.412E-14

IС 4.326E-16

IBFN 0.000E+00

TOTAL 1.455E-14

**** RESISTOR SQUARED NOISE VOLTAGES (SQ V/HZ)

R_R1 R_R4 R_R5 R_Ri R_R3 R_R2

TOTAL 3.748E-18 3.749E-18 1.154E-24 3.965E-14 1.468E-14 2.643E-15

Чтобы провести анализ производительности схемы, ее не нужно специально для этого «сажать под ток». В ходе анализа производительности обрабатываются только те данные, которые уже имеются: полученные в результате параметрического анализа и выведенные на экран PROBE в виде семейства кривых. Анализ производительности позволяет оценить эту информацию с новой точки зрения. Для каждого значения параметра с каждой кривой, изображенной на диаграмме семейства кривых в PROBE, считывается заранее заданное значение, например максимальное значение кривой. Затем полученные таким образом значения представляются в зависимости от значения (изменения) параметра в виде диаграммы. Таким образом, параметр предшествующей диаграммы семейства кривых на диаграмме, получаемой в результате соответствующего анализа производительности, всегда изображается на оси координат X.

В качестве примера исследуем схему параллельного колебательного контура (рис. 9.19). Этот контур, в котором катушка индуктивности заменена последовательным соединением катушки чистой индуктивности с резистором активного сопротивления, вполне соответствует реальному. В ходе предстоящего анализа выясним, как резонансное сопротивление данного контура (то есть импеданс колебательного контура при резонансе) и ширина полосы частот резонансной кривой зависят от катушечного сопротивления R1.

Рис. 9.19. Эквивалентная схема реального параллельного колебательного контура

Основой для проведения анализа производительности послужит, учитывая особенности запланированного исследования, анализ AC Sweep с сопротивлением R1 в качестве параметра.

Шаг 12Чтобы предоставить для анализа производительности необходимые данные, сначала проведите анализ AC Sweep + Parametric Sweep. Для этого выполните следующие действия:

1. Начертите в редакторе SCHEMATICS схему, изображенную на рис. 9.19. Установите в ней источник напряжения типа VSIN. Сохраните эту схему в папке Projects под именем RLC_PAR.sch.

2. Установите атрибуты источника напряжения VSIN, как показано на рис. 9.20. Остальные атрибуты оставьте без изменений.

Рис. 9.20. Атрибуты источника напряжения VSIN

3. Проведите предварительную установку анализа AC Sweep по образцу на рис. 9.21.

Рис. 9.21. Предварительная установка для анализа AC Sweep

4. Проведите предварительную установку параметрического анализа для изменения в качестве параметра эквивалентного последовательного сопротивления R_damp, в соответствии с рис. 9.22 и 9.23.

Рис. 9.22. Чертеж схемы параллельного колебательного контура

Рис. 9.23. Предварительная установка параметрического анализа

5. Создайте на экране PROBE диаграмму частотной характеристики импеданса колебательного контура (Z=U/I) для значений активного последовательного сопротивления R_damp от 2 Ом до 20 Ом — см. рис. 9.24.