Владимир Яшин - Информатика - аппаратные средства персонального компьютера

Процедуры записи информации на внешний жесткий магнитный диск и считывания пользовательской информации аналогичны процедурам, используемым для записи информации на внутренний жесткий диск и считывания с него.

Удаление ненужных файлов и папок на внешнем НЖМД производится так же, как и на внутреннем НЖМД. Однако после подтверждения удаления файлов или папок они будут не удалены с внешнего НЖМД, а только перемещены в папку «Корзина», из которой затем их можно будет восстановить.

По окончании работы с внешним жестким диском его нужно отключить. Для этого необходимо обязательно придерживаться определенных правил. В ОС Windows ХР существует специальная программа (драйвер) для безопасного извлечения устройства. Пиктограмма этой программы находится в панели задач рабочего стола ОС Windows ХР. Для ее активизации необходимо установить курсор мыши на эту пиктограмму и произвести щелчок левой кнопкой мыши, на экране монитора появится сообщение: «Безопасное извлечение USB Mass Storage Device – диск (F)». Произведя щелчок мыши на этом сообщении, пользователь может получить два альтернативных сообщения. Вид первого сообщения показан на рис. 6.12. Такое сообщение появляется, если файлы, с которыми работал пользователь, активны. В этом случае файлы, находящиеся на внешнем жестком диске, необходимо закрыть и перейти на другое ЗУ.

Рис. 6.12. Окно «Проблема при извлечении „USB Mass Storage Device“»

Второе сообщение указывает на то, что оборудование может быть удалено (рис. 6.13).

Рис. 6.13. Окно «Оборудование может быть удалено»

После окончания этих действий внешний жесткий диск можно отсоединить от порта USB системного блока компьютера.

Накопители информации на основе флэш-памяти относятся к внешним (переносным) ЗУ и предназначены для долговременного хранения относительно небольших объемов информации (единицы гигабайт). Накопители информации на основе флэш-памяти относятся к ЗУ с прямым (произвольным) доступом к данным.

Рассмотренные выше накопители информации на гибких и жестких магнитных дисках имеют в своем составе механические компоненты, которые снижают надежность их работы и определяют относительно большое потребление электрической энергии при записи и считывании информации. Флэш-память (Flash-memory) является полностью электронным устройством и лишено указанных выше недостатков.

Название Flash применительно к данному типу памяти переводится как «вспышка». Однако это не совсем так. Одна из версий появления этого названия состоит в том, что впервые в 1990 г. японская компания Toshiba употребила слово Flash в контексте «быстрый, мгновенный» при описании своих новых микросхем. Изобретателем флэш-памяти считается фирма Intel, представившая в 1988 г. флэш-память. Промышленное производство такой памяти началось в 1994 г.

Накопитель информации на основе флэш-памяти представляет собой функционально законченное устройство, конструктивно состоящее из защитного корпуса с маркировкой, выходного разъема для подключения к соответствующему порту системного блока компьютера и электронного блока. Внутри защитного корпуса размещается электронный блок (микросхема), который включает в себя перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ) с неограниченным циклом записи и считывания, а также контроллер флэш-памяти. Накопители информации на основе флэш-памяти относятся к энергонезависимому типу памяти, т. е. после отключения электрического питания от такого накопителя информация в нем сохраняется в течение нескольких лет.

ППЗУ, используемое во флэш-памяти, является представителем класса перепрограммируемых постоянных ЗУ, в котором реализуется электрический способ записи, считывания и стирания (удаления) информации. Однако стирание информации в ППЗУ осуществляется сразу в целой области ячеек – блока или всей микросхемы, это обеспечивает более быструю запись информации. В ППЗУ флэш-памяти используется принцип записи, основанный на использовании в них базовых элементов памяти (ячеек) – микроэлектронных полупроводниковых транзисторов с двумя изолированными затворами: управляющим (control) и плавающим (floating). Важной особенностью этих транзисторов является способность удерживать электроны, т. е. электрический заряд. Этот процесс носит название Фоулера – Нордхейма.