Илья Зайцев - Применение квантового туннельного эффекта код

Выбор квантового генератора, соответствующего техническим параметрам ЭУ. Применяем мазер на циклотронном резонансе (МЦР), гиротрон соответствует заданным параметрам ЭУ. Далее рассмотрим движитель экрана эмиттера электронной плазмы ЭУ.

Движитель, вращающий экран-эмиттер электронной плазмы ЭУ, предназначен для создания, переменяя центробежную силу на туннельном ПК покрытии экрана-эмиттера, тонкого слоя термолизуемой СВЧ ЭМ полем жидкости. Конструкция движителя экрана-эмиттера электронной плазмы ЭУ следующая: на расстоянии от внутренней краевой поверхности чаши (параболоида вращения) экрана-эмиттера электронной плазмы ЭУ расположен вращающийся экран СП подковообразной формы. То есть между поверхностью экрана-эмиттера и СП есть зазор, достаточный для проникновения к поверхности ПК туннельного покрытия экрана-эмиттера ЭМ СВЧ поля от квантового генератора, взаимодействия данного излучения с ПК туннельным покрытием и эмиссии на поверхность покрытия электронной плазмы. Внешняя поверхность ПК покрыта ситаллом, диэлектрическим материалом – кордиеритом, покрытие предназначено для защиты поверхности ПК от разогрева и генерации в массиве ПК тока наведения от квантового генератора. СП расположен на кордиеритовых стержнях-держателях, два концевых стержня полые, в концевых кордиеритовых стержнях-держателях расположен СП провод, подсоединенный к электрической цепи ЭУ.

Диэлектрическая антенна излучения СВЧ ЭМ поля (бегущей волны) выполнена в форме «закрученного» стержня (пример – закрученный валик поверхности ситаллового диэлектрического стержня), так что вводимое от волновода на стержень ЭМ поле на выходе от стержня испытывает процессию, покадрово относительно поверхности, то есть вращается с большой скоростью вокруг оси симметрии стержня антенны. Соответственно, под зазором СП на поверхности экрана-эмиттера образуются два максимума электронной плазмы, движущиеся над контуром СП, поле СП взаимодействует с максимумами плазмы, так что экран-эмиттер, выталкиваемый полем, вращается вокруг оси. Скорость вращения движителя управляется нами, применяем увеличение либо уменьшение подачи токовой мощности на СП.

Рассмотрим антенну, излучающую расположенную в камере синтеза водорода. Материал антенны – ситалл кордиерит, форма – АИ стержень-валик, на стержне есть анимационная поверхность.

Рассмотрим форму стержень-валик. Так как частота МЦР (гиротрона) периодически в интервале частот взаимодействия с плазменным экраном меняется, ЭМ волна, проходя диэлектрический стержень АИ, в проводном частотном состоянии огибает валик на поверхности стержня, далее есть перемена частоты МЦР, ЭМ волна далее в операционном состоянии такая, частота ЭМ поля такова, что поверхностная волна взаимодействует с поверхностью валика и изменяет направление бега и направляется на поверхность плазменного экрана.

Далее АИ, форма – стержень, анимационная поверхность – валик-выемка, количество выемок – две. Валики расположены на поверхности стержня последовательно снизу вверх. Выемки расположены от центральной оси стержня по спирали. Бегущая поверхностная ЭМ волна последовательно взаимодействует с формой так, что в операционном состоянии валик направляет поле на плазменный экран, выемки направляют соответственно более интенсивное поле на поверхность экрана, то есть кромку, контактную с СП. Так как в МЦР модулируем и, соответственно, и ЭМ поле изменяет свою частотную характеристику (последовательное переключение частоты) и валиков на анимационной поверхности несколько, то бегущая поверхностная волна в операционном состоянии срабатывает на анимационной поверхности последовательно (покадрово), и происходит переключение поля на соответствующие валики-выемки так, что на приемной поверхности плазменного экрана наблюдается круговое движение двух максимумов излучения-приема поля, анимированное движение плазмы, взаимодействующее с СП и вращающее экран.

Преимущества двухимпульсной схемы подачи энергии ЭМ поля от антенны излучения СВЧ на плазменный экран. Применяем двухимпульсную схему подачи энергии когерентного ЭМ поля, индукция-резонанс, от диэлектрической антенны излучения СВЧ на плазменный экран, отличающуюся от периодического процесса подачи импульса на экран, изменяющего форму энергетического барьера, так что в массиве электрический ток до подачи ЭМ когерентного импульса отсутствует, есть периодическая подпитка от СП конденсатора и индуцирующего ток в кристалле ПК в процессе электромагнитной деформации барьера следующим образом.