Илья Зайцев - Применение квантового туннельного эффекта код

где

120 * π – волновое сопротивление «свободного» пространства, среды, размерность коэффициента,

qc = 120 * π, величина, приблизительно равная 377 Ом, есть размерность сопротивления, отсюда

П = 377* Нмаг,

П = Е²/377 – плотность потока энергии, количество энергии, проходящее за 1 секунду через площадь в один квадратный метр, КВТ/см², Вт/м², далее,

2.7) П1 / П2 = r1² / r2² – формула зависимости плотности потока энергии электромагнитного поля, измеренной в данной точке экрана-эмиттера электронной плазмы туннельного, выполняющего функцию антенны приема электромагнитного поля, от расстояния до антенны излучения СВЧ поля. Необходима для экспериментального определения количества энергии, необходимого для термолиза тонкой пленки жидкости заданной толщины, управляемой с применением модулирование n-числом оборотов вала привода движителя, соединенного с экраном-эмиттером параболоидом и h-напором жидкости, где, r1 и r2 – расстояние от рассматриваемых точек до антенны излучения электромагнитного поля.

Данный математический аппарат необходим в процессе определения температуры термолиза тонкой водяной пленки в условиях взаимодействия с электронной плазмой и определения энергетического расхода для достижения данной температуры. Так, данный показатель является определяющим возможность применения устойчивого низкомолекулярного эндотермического в условиях реакции с кислородом воздуха химического соединения воды, топливом ЭУ.

Прежде всего выбираем исходя из критериев соответствия материала техническим параметрам работы энергетического устройства и безопасности работы оператора материал (конструкционный материал) камеры плазмокаталитического термолиза воды в тонкой пленке на вращаемом экране-эмиттере, то есть элемента конструкции энергетического устройства, предназначенного вырабатывать водород.

Камеры выработки водорода расположены в верхней и нижней частях плоской башни (диска, эллипсоида).

Экран-эмиттер электронной плазмы, катализатора лизиса воды расположен в верхней полусферической части диска, нижняя часть камеры выработки топлива, полуконическая, данная часть энергетического устройства является антенной приема энергии ЭМ поля.

Конструкция экрана-эмиттера, катализирующего процесс лизиса воды плазмы следующая: форма основания – параболоид вращения, чаша – материал массива диэлектрик. Предназначение массива чаши, состоящей из материала с данной физико-химической структурой, – отражатель СВЧ ЭМ поля в туннелирующее электронную плазму ПК покрытие.

Критерии соответствия для данного материала следующие: материал выдерживает соответствующие механические нагрузки, так как экран вращается, материал – диэлектрик, отражает радиоизлучение в частотном диапазоне лизиса воды, выдерживает термическую нагрузку в температурном интервале лизиса тонкой водяной пленки.

Данный материал (конструкционный материал) – стеклокерамика, то есть ситалл, кордиерит. Он отражает электромагнитное поле радиодиапазона частот волн в частотном интервале лизиса воды и выдерживает соответствующие механические нагрузки и температурные нагрузки термолизиса воды в пленке СВЧ ЭМ полем.

Ситалловая (кордиеритовая) подложка эмиссионного покрытия экрана, то есть туннелирующего плазму ПК арсенида галлия (карбида металла), такая, что на поверхности ее есть выемка, в канавке заподлицо расположен запитывающий туннелирующий слой-проводник, форма расположения на экране – спираль.

Далее выбираем материал стержня диэлектрической антенны излучения (антенны бегущей волны). Данный материал, работающий в условиях водородной среды, устойчивый к водородной коррозии и выдерживающий тепловые нагрузки термолиза воды, – кордиерит, то есть диэлектрический стержень антенны излучения СВЧ ЭМ поля кордиеритовый.

Далее рассмотрим конструкцию движителя экрана. Движитель экрана-эмиттера холодной электронной плазмы работает исходя из следующей технической схемы.

С внутренней стороны краевой части экрана-эмиттера электронной плазмы расположен токопроводящий СП, форма (сегмент сферы) – шаровой пояс. На поверхность экрана-эмиттера туннелирует под действием внешнего источника СВЧ ЭМ поля электронный газ, плазма, то есть поверхность эмиттера (и краевая поверхность соответственно) покрыта тонкой плазменной пленкой. Так как данный газ состоит из электронов, лептонов с полуцелым спином, соответственно, газ взаимодействует с магнитным полем, плазма выталкивается данным полем.