Feynmann - Feynmann 9

Когда кристалл германия с некоторым количеством внедрен­ной донорной примеси находится при комнатной температуре, то электроны проводимости поставляются как донорными узлами, так и путем рождения электронно-дырочных пар за счет тепловой энергии. Естественно, электроны от обоих источников вполне эквивалентны друг другу, и в игру статистических про­цессов, ведущих к равновесию, входит их полное число N n . Если температура не слишком низкая, то число отрицательных носи­телей, поставляемых атомами донорной примеси, примерно равно количеству имеющихся атомов примеси. При равновесии уравнение (12.4) еще обязано соблюдаться; произведение N n N p при данной температуре есть вполне определенное число.

Это означает, что добавление донорной примеси, которое увели­чивает число N n, вызывает такое уменьшение количества N p положительных носителей, что N n N p не изменяется. Если кон­центрация примеси достаточно высока, то число N n отрицатель­ных носителей определяется количеством донорных узлов и почти не зависит от температуры — все изменения в экспоненте происходят за счет N р , даже если оно много меньше N n . В чи­стом в других отношениях кристалле с небольшой концентра­цией донорной примеси будут преобладать отрицательные носи­тели; такой материал называется полупроводником « n -типа».

Если в кристаллической решетке добавлена примесь акцеп­торного типа, то кое-какие из новых дырок, блуждая, начнут аннигилировать с некоторыми свободными электронами, соз­даваемыми тепловыми флуктуациями. Это будет продолжаться до тех пор, пока не выполнится уравнение (12.4). В равновес­ных условиях количество положительных носителей возрастает, а количество отрицательных убывает, поддерживая произведе­ние постоянным. Материал с избытком положительных носите­лей называется полупроводником « p -типа».

Если к полупроводниковому кристаллу приложить пару электродов и присоединить их к источнику разницы потенциа­лов, то внутри кристалла появится электрическое поле. Оно вынудит двигаться положительные и отрицательные носители, и потечет электрический ток. Посмотрим сперва, что прои­зойдет в материале n -типа, в котором имеется подавляющее большинство отрицательных носителей. В таком материале дырками можно пренебречь; они очень слабо скажутся на токе, потому что их мало. В идеальном кристалле при конечной тем­пературе (а особенно в кристалле с примесями) электроны пере­мещаются не совсем беспрепятственно. С ними беспрерывно происходят столкновения, которые сбивают их с намеченного ими пути, т. е. меняют их импульс. Эти столкновения — те самые рассеяния, о которых мы толковали в предыдущей главе и которые происходят на неровностях кристаллической решетки. В материале re-типа главной причиной рассеяния служат те самые донорные узлы, которые поставляют носителей. Раз у электронов проводимости энергия на донорных узлах немного иная, то волны вероятности обязаны на этом месте рассеиваться. Но даже в идеально чистом кристалле бывают (при ненулевой температуре) нерегулярности решетки, вызванные тепловыми колебаниями. С классической точки зрения можно говорить, что атомы не выстроены точно в правильную решетку, а в любое мгновение немного сдвинуты со своих мест по причине тепловых колебаний. Энергия Е 0 , связывавшаяся по теории, изложенной в гл. 11, с каждой точкой решетки, чуть-чуть меняется от одного места к другому, так что волны амплитуды вероятности не передаются идеально, а каким-то неправильным образом рассеиваются. И при очень высоких температурах или для очень чистых веществ такое рассеяние может стать очень важным, но в большинстве примесных полупроводников, применяемых в практических устройствах, рассеяние происходит только за счет атомов примеси. Мы сейчас оценим величину электриче­ской проводимости в таких веществах.

Если к полупроводнику n -типа приложить электрическое поле, то каждый отрицательный носитель приобретет в этом поле ускорение, набирая скорость до тех пор, пока не рассеется на одном из донорных узлов. Это означает, что носители, кото­рые обычно движутся случайным образом, имея при этом теп­ловую энергию, начнут в среднем повышать свою скорость дрей­фа вдоль линий электрического поля, вызвав ток через кристалл. Скорость дрейфа, как правило, по сравнению с типич­ными тепловыми скоростями очень мала, так что можно, прики­дывая величину тока, принять, что от столкновения к столкно­вению среднее время странствий носителя постоянно. Допустим, что эффективный электрический заряд отрицательного носителя равен q n . Сила, действующая на носитель в электрическом поле x, будет равна q nx. В гл. 43, §3 (вып. 4) мы как раз подсчиты­вали среднюю скорость дрейфа в таких условиях и нашли, что она равна F t / m , где F — сила, действующая на заряд; t — среднее время свободного пробега между столкновениями, а m — масса. Вместо нее надо поставить эффективную массу, которую мы подсчитывали в предыдущей главе, но поскольку нас интересует только грубый расчет, то предположим, что эта эффективная масса во всех направлениях одинакова. Мы ее здесь обозначим m n . В этом приближении средняя скорость дрейфа будет равна