Евгений Айсберг - Транзистор?.. Это очень просто!

Диффузия. В эти же участки полупроводника можно ввести некоторое количество примесей p -типа или n -типа, если нагреть пластинку в атмосфере паров соответствующих веществ. Примеси можно также наносить на пластинку, нагретую до температуры, необходимой для проникновения примесей через окна, в результате этой операции в полупроводнике в зависимости от используемых материалов образуются p-зоны или n -зоны.

Теперь, после того как мы проанализировали основные фазы производства, в качестве примера рассмотрим, каким образом изготовляют одну из наиболее распространенных разновидностей транзисторов — планарный эпитаксиальный транзистор.

Надеюсь, что ты не забыл, что я некогда рассказывал тебе о меза -транзисторе. Можно сказать, что планарный является его прямым потомком. Как показывает само название [20] Айсберг Евгений Давыдович «Транзистор?.. Это очень просто!» Издание четвертое, переработанное Предисловие к русскому изданию Эта книга относится к серии популярных изданий Е. Айсберга , вышедших во Франции под названием «…Это очень просто!» Она написана в таком же стиле, как и другие его книги: «Радио?.. Это очень просто!», «Телевидение?.. Это очень просто!», «Радио и телевидение?.. Это очень просто!», уже знакомые нашим читателям. Как и в предыдущих книгах, редакция старалась сохранить своеобразие французского издания, формат книги и манеру верстки. Книга знакомит читателей с важной областью электроники — полупроводниковыми приборами, нашедшими в настоящее время широкое применение. Сложные физические процессы в полупроводниках изложены автором в весьма доступной форме для читателя, не имеющего специальной подготовки. Книга посвящена транзисторам — наиболее важным из полупроводниковых приборов. Она поможет радиолюбителю понять принципы их действия, познакомит его с использованием транзисторов в различных схемах и в конечном счете позволит читателю вести практическую работу с транзисторами. В четвертое издание книги внесены некоторые изменения и исправления в соответствии с ЕСКД. Отзывы о книге просим направлять по адресу: 113114 Москва, М-114, Шлюзовая набережная, 10, издательство «Энергия», редакция Массовой радиобиблиотеки. Редакция Массовой радиобиблиотеки , ему совершенно несвойствен рельеф, характерный для мезатранзистора. Кроме того, он полностью выполняется в тонком эпитаксиальном слое и большая его часть прикрыта двуокисью кремния. По своим размерам он значительно меньше своего предшественника мезатранзистора. На одной подложке (так называется тонкий диск кремния) одновременно изготовляют несколько десятков или даже сотен транзисторов.

Вот последовательные стадии производства планарного транзистора структуры n-р-n :

1. Подложка (пластина кремния с проводимостью n-типа) чистится и полируется.

2. Уже описанным мною способом на ней выращивается эпитаксиальный слой, не превышающий по толщине 15 мкм и тоже содержащий примеси n -типа.

3. Поверх эпитаксиального слоя наносится изолирующий слой двуокиси кремния (рис. 131, а ).

Pиc. 131. Последовательные стадии производства планарного транзистора структуры n-р-n.

4. Методом фотолитографии с химическим травлением при использовании соответствующей маски в изолирующем слое создается «окно».

5. Через «окно» с помощью диффузии вводят примеси p -типа (обычно бор) — таким образом формируется зона, служащая будущему транзистору базой (рис. 131, б ).

6. Всю конструкцию вновь покрывают изолирующим слоем двуокиси кремния.

7. Вторая фотолитографическая операция с химическим травлением позволяет вскрыть «окно» в центральной части р -зоны.

8. Через это отверстие с помощью диффузии вводят примеси n -типа (например, фосфор) — таким образом формируется эмиттер транзистора (рис. 131, в).

9. В третий раз вся конструкция покрывается слоем двуокиси кремния.

10. Также в третий раз используют фотолитографию, чтобы прорезать крохотные отверстия: одно в зоне эмиттера, а другое в зоне базы.

11. Через эти отверстия наносят слой металла (для этой цели часто используют алюминий), который образует контактные площадки.

12. К маленьким металлическим площадкам припаиваются проволочки, служащие выводами для эмиттера и базы; для коллектора, состоящего из той части эпитаксиального слоя, которая не подверглась воздействию диффузии в предыдущих операциях (операции № 5 и 8), вывод создается путем прикрепления к подложке металлической пластинки (рис. 131, г, д ).