Рис. 21. Два основных вида транзисторов: n-р-nи р-n-р.
Н. — Я думаю, что точно так же от объединения областей n двух р-n переходов мы получим транзистор структуры р-n-р .
Л. — Естественно. Я добавлю, что одна из внешних областей называется эмиттером , а другая — коллектором , средняя же область, которая должна быть очень тонкой (и я прошу тебя обратить на это условие особое внимание), называется базой .
Н. — Одним словом, транзистор представляет собой своеобразный бутерброд из двух толстых кусков хлеба, между которыми положен тоненький кусочек ветчины.
Л. — Да, если хочешь.
Н. — Но позволь мне сказать, что твой бутерброд так же несъедобен, как недоступна для машин ваша улица.
Непроницаемый бутерброд
Л. — На что ты намекаешь, уважаемый друг?
Н. — Очень просто: два направленных в противоположные стороны перехода закрывают путь току в обоих направлениях точно так же, как и два знака «Въезд запрещен» лишают возможности выехать на вашу улицу, с какой бы стороны ты ни пытался это сделать.
Л. — Твои рассуждения не лишены логики. В заключение ты, может быть, заподозришь меня в авторстве этой глупой шутки, которую я якобы сделал с единственной целью облегчить тебе понимание принципа работы транзистора?..
Дело заключается в том, что если прикладывать напряжение к транзистору между эмиттером и коллектором, то при любой полярности один из переходов окажется в прямом, а другой в обратном направлении и будет препятствовать прохождению тока (рис. 22).
Рис. 22. Потенциальные барьеры, созданные в транзисторе своеобразным размещением электронов, дырок, положительных ионов (доноров) и отрицательных ионов (акцепторов).
Н. — Например, если к транзистору n-р-n мы приложим напряжение так, чтобы слева был отрицательный, а справа положительный полюс, то первый переход ( n-р ) свободно пропустит электроны слева направо. Но второй переход ( р-n ) решительно закроет им дорогу. Однако не найдется ли тем не менее несколько шустрых электронов, которым, несмотря на все, удастся циркулировать в цепи?
Л. — Да, такие электроны всегда имеются. Они проложат себе дорогу благодаря тепловому воздействию, которое поможет им преодолеть р-n переход. Эти циркулирующие электроны образуют то, что называется начальным током, или током насыщения [5] 6 Сопротивления, о которых говорит Любознайкин, рассчитываются путем деления малых изменений напряжений на вызываемые ими изменения тока. Следовательно, входное сопротивление где ΔU б _ малое изменение напряжения между эмиттером и базой, а ΔI б — возникающее в результате этого изменение тока базы. Точно так же выходное сопротивление где ΔU к — изменение напряжения, приложенного между коллектором и эмиттером, а ΔI к — соответствующее изменение тока коллектора. Иногда при расчетах используют параметр выходная проводимость транзистора , представляющий собой отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения: (Прим. ред.).
.
Н. — Чем вызвано последнее название? Может быть, этот ток так велик?
Л. — Напротив» он чрезвычайно мал. Но он практически не зависит от величины приложенного напряжения. Повысь напряжение, а ток останется почти таким же. Под «насыщением» в данном случае понимают, что все свободные электроны, способные при данной температуре преодолеть потенциальный барьер, участвуют в образовании тока.
Н. — А если температура повысится…
Л. — …ток насыщения также возрастет. Впрочем, может случиться, что при высоком напряжении выделяемая этим током мощность вызовет дополнительное нагревание переходов, которое повлечет за собой дальнейшее увеличение тока…
Н. — …что в свою очередь повысит температуру переходов и т. д.
Читать дальше