Александр Кульский - КВ-приемник мирового уровня? Это очень просто!

«С»:Да нет, в самый раз! Прежде всего, приведем схемные обозначения этих семи основных видов (см. рис. 14.1).

«Н»:А как работают эти транзисторы и почему необходимо столько различных типов?

«С»:Управляющий электрод всех типов полевых транзисторов (FET) называется ЗАТВОРОМ, обозначаемым как 3 или имеющим международное обозначение G . Он позволяет управлять величиной сопротивления между СТОКОМ С (или D ) и ИСТОКОМ И (или S ). Управляющим напряжением является, таким образом, U gs(или U зи). Большинство полевых транзисторов являются симметричными, то есть их свойства не изменяются, если D и S поменять местами. В транзисторах с управляющими р-n -переходами затвор отделен от канала обратно смещенным р-n -переходом.

«А»:То есть первое различие от биполярных трап л к торов в том, что у БТ управляющий р-n -переход ВСЕГДА включен в прямом направлении, а у ПТ (JFET) — всегда в обратном?

«С»:Это действительно так. Но вот у полевых транзисторов с изолированным затвором, или МОП-транзисторов (MOSFET) затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика SiО 2. У этих транзисторов ток через затвор невозможен при любой полярности управляющего напряжения.

«Н»:Но ведь любой реальный прибор всё равно характеризуется какими-то реальными токами?

«С»:Как водится! Так же это относится и к JFET, и к MOSFET. Например, реальные токи затворов JFET находятся в пределах от единиц наноампер до единиц пикоампер. У МОП-транзисторов (MOSFET) они меньше ещё натри порядка! Таким образом, полевые транзисторы характеризуются колоссальными величинами входных сопротивлений. Оно у них выше, чем у ПУЛов (приемно-усилительных ламп).

«А»:А какова физика работы, например JFET (полевого транзистора с управляющим р-n -переходом)?

«С»:JFET имеет управляющий канал проводимости в объеме полупроводника. Рассмотрим действие прибора, упрощенная конструкция которого показана на приведенном рис. 14.2. Данный прибор изготовлен из кремния, имеющего собственную проводимость n-типа (то есть донорную, с избытком электронов). На верхней и нижней плоскостях сформированы р-n -переходы, путем формировании в кремнии n -типа, областей p -типа (то есть акцепторных, с повышенной концентрацией дырок).

Если к затвору относительно истока прикладывается отрицательное напряжение (см. рис. 14.2), то вблизи р + областей образуются зоны, обедненные электронами (зона Б ). Толщина зоны зависит от величины абсолютного значения напряжения U зи. При приближении этого напряжения к нулю толщина обедненного слоя уменьшается. Та часть структуры, которую не достигли обедненные слои (зоны) называется КАНАЛОМ, из-за чего полевые транзисторы называются также — КАНАЛЬНЫМИ.

«А»:Кстати, проводимость канала определяется ОСНОВНЫМИ НОСИТЕЛЯМИ, то есть в данном случае мы можем говорить, что имеем дело с n -канальным прибором, проводимость которого определяется электронами.

«С»:Совершенно верно! Но имеются в виду и р -канальные приборы, проводимость которых имеет сугубо дырочный характер!

«Н»:А что в этом случае изменяется?

«А»:Прежде всего полярность подключения питания изменяется на противоположную! Естественно, меняется и производственная технология!

«С»:Всё так! Но обратимся снова к нашему рисунку! Как вы думаете, что произойдет, если напряжение U зибудет возрастать?

«А»:Я полагаю, что наступит момент, когда обедненные слои Б1 и Б2 соприкоснутся!

«С»:Правильно, это и будет означать, что канал полевого транзистора кажется перекрытым, проводимость прибора станет очень малой или, что то же самое, сопротивление промежутка ИСТОК — СТОК значительно возрастет!

«Н»:Это напряжение, при котором происходит смыкание обедненных слоев, оно имеет какое-то свое название?

«С»:Безусловно! Это один из важнейших параметров полевого транзистора! И носит имя собственное — НАПРЯЖЕНИЕ ОТСЕЧКИ, обозначаемое как U отс(или U pinch off). Но, поскольку даже в этом случае всегда найдутся достаточно энергичные электроны, которые способны преодолеть даже перекрытый канал, то, естественно, довести величину тока до абсолютного нуля не удается!