Транзистор, как и диод, может быть изготовлен из германия или кремния, но кремний более популярен. Транзистор состоит из трех областей с чередующимся типом проводимости (по сравнению с двумя у диода). Эти три области могут быть расположены двумя способами.
В первом случае материал р -типа расположен между двумя слоями материала n -типа, образуя n-p-n транзистор (рис. 22-1). Во втором случае слой материала n -типа расположен между двумя слоями материала р -типа, образуя р-n-р транзистор (рис. 22-2).
У транзисторов обоих типов средняя область называется базой, а внешние области называются эмиттером и коллектором.
Рис. 22-1. n-p-nтранзистор .
Рис. 22-2. р-n-ртранзистор.
22-1. Вопросы
1. Чем конструкция транзистора отличается от конструкции диода?
2. Какие существуют два типа транзисторов?
3. Как называются три части транзистора?
4. Нарисуйте схематические обозначения n-p-n и р-n-р транзисторов и обозначьте их выводы.
5. Для чего используются транзисторы?
22-2. ТИПЫ ТРАНЗИСТОРОВ И ИХ КОРПУСА
Транзисторы классифицируются по следующим параметрам:
1. По типу проводимости ( n-p-n или р-n-р ).
2. По используемому материалу (германий или кремний).
3. По основному назначению (высокой или низкой выходной мощности, переключательные или высокочастотные).
Большинство транзисторов идентифицируются по условному обозначению. Условное обозначение состоит из пяти элементов и содержит информацию об исходном материале транзистора, его назначении, классификации, номере разработки. Эти символы идентифицируют устройство как транзистор и показывают, что он имеет 2 р-n перехода.
Корпуса служат для защиты транзистора и обеспечивают возможность электрического подсоединения к эмиттеру, базе и коллектору. Корпус также служит для отвода тепла или площадью, с которой тепло может излучаться, удаляя избыточное тепло от транзистора и предотвращая возможность теплового повреждения. Существует много различных корпусов, охватывающих широкую область применений (рис. 22-3).
Рис. 22-3. Различные корпуса транзисторов.
Корпуса транзисторов отличаются размерами и конфигурацией. Некоторые часто встречающиеся корпуса транзисторов показаны на рис. 22-4.
Вследствие большого разнообразия корпусов транзисторов очень трудно предложить общее правило для идентификации выводов эмиттера, базы и коллектора на каждом устройстве. Для этого лучше обратиться к инструкции, предоставляемой производителем, или к справочнику.
Рис. 22-4. Типичные корпуса транзисторов.
22-2. Вопросы
1. Как классифицируются транзисторы?
2. Какие символы используются для классификации транзисторов?
3. Для чего служат корпуса транзисторов?
4. Как обозначаются корпуса транзисторов?
5. Как определить, какой вывод у транзистора является базой, эмиттером или коллектором?
22-3. ОСНОВЫ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА
Диод является выпрямителем, а транзистор — усилителем. Транзистор может использоваться различными способами, но основной его функцией является усиление сигналов.
К транзистору должно быть правильно приложено напряжение смещения для того, чтобы области эмиттера, базы и коллектора взаимодействовали должным образом.
При правильно приложенном напряжении смещения эмиттерный переход транзистора смещен в прямом направлении, а коллекторный переход — в обратном. Правильно приложенное напряжение смещения на транзистор типа n-р-n показано на рис. 22-5.
Рис. 22-5. Правильно смещенный n-р-nтранзистор
Смещение в прямом направлении заставляет электроны течь с эмиттера n-p-n транзистора. Прямое смещение — это положительное напряжение на выводе базы по отношению к эмиттеру. Положительный потенциал базы притягивает электроны, создавая поток электронов из эмиттера. На электроны, притянутые базой, начинает влиять положительный потенциал, приложенный к коллектору. Большинство электронов притягивается к коллектору и к положительному выводу источника тока, создающего обратное смещение. Небольшая часть электронов поглощается областью базы и поддерживает небольшой поток электронов от базы, область базы при этом должна быть предельно тонкой. В правильно смещенном р-n-р транзисторе выводы источников тока необходимо поменять местами (рис. 22-6).
Читать дальше