В Бессонов - Радиоэлектроника для начинающих (и не только)

4.7.13. Определение цоколевки транзистора(рис. 4.51)

Рис. 4.51. Определение цоколевки транзистора

Если обозначение транзистора, нанесенное на его корпусе, стерлось или нет под рукой справочника по полупроводниковым приборам, то для определения цоколевки транзистора и структуры его проводимости можно воспользоваться авометром (тестером).

Сначала определяют базовый вывод транзистора. Для этого плюсовый щуп прибора (в режиме измерения малых сопротивлений) подключают к одному из выводов транзистора, а минусовый — поочередно к двум остальным.

Внимание:минусовым щупом здесь и далее назван тот щуп, который подключен к так называемой общей клемме прибора, иногда маркируемой знаком «-» (применительно к режимам измерений токов и напряжений). В режиме измерения сопротивлений полярность напряжения на зажимах авометра обратная. Это следует иметь ввиду.

Так как полярность напряжения между электродами транзистора может меняться, то таких пар, очевидно, будет шесть: Э +-Б -, Э +-К -, Б +-К -, Э --Б +, Э --К +, Б --К +, где знаки «+» и «-» низкое, а в другом высокое, то его плюсовый щуп нужно подключить к другому выводу и снова измерить сопротивление между ним и остальными двумя выводами, пока не удастся найти вывод, имеющий малое сопротивление относительно двух других выводов. Найденный таким образом вывод является базовым, а транзистор имеет структуру n-р-n .

Если приведенным выше способом найти базовый вывод не удается, необходимо изменить полярность подключения авометра, т. е. к одному из выводов подключить минусовый щуп авометра, а затем найти базовый вывод р-n-р -транзистора.

Определение базового вывода большинства широко распространенных низкочастотных транзисторов упрощается, если помнить, что они выполнены с выводом базы на корпус.

С помощью авометра можно определить и выводы эмиттера и коллектора маломощных транзисторов. Для этого между предполагаемым выводом коллектора и базовым выводом подключают резистор сопротивлением в 1 кОм. Затем плюсовый щуп авометра подключают к предполагаемому выводу коллектора, а минусовый — к предполагаемому выводу эмиттера n-р-n -транзистора и определяют сопротивление по прибору. После этого предполагаем иное расположение выводов коллектора и эмиттера и снова измеряем сопротивление. Плюсовый щуп авометра будет соединен с коллектором в том случае, когда сопротивление между выводами окажется минимальным.

У р-n-р -транзисторов коллекторный и эмиттерный выводы можно определить таким же способом, но сопротивление между эмиттером и коллектором окажется меньшим, когда с коллектором будет соединен минусовый щуп авометра. При этом нужно помнить, что у всех мощных транзисторов, предназначенных для крепления на радиаторах, коллектор выведен на корпус. Следует, однако, иметь в виду, что подвергать такому испытанию высокочастотные транзисторы нежелательно, чтобы не повредить эмиттерный переход.

Следует иметь в виду также, что любой из омметров можно представить в виде источника э.д.с. Е с внутренним сопротивлением R вн(рис. 4.51, а ). Если присоединить к такому источнику один из р-n -переходов транзистора, например, эмиттерный, то через переход потечет ток I , равный приблизительно E / R вн. Очевидно, при малом значении внутреннего сопротивления омметра ток I может превысить максимальный прямой ток через переход и повредить испытываемый транзистор. Если же присоединить к омметру эмиттерный переход так, как показано на рис. 4.51, б , то испытываемый транзистор можно повредить напряжением. Действительно, при R м >> R прэто напряжение, равное приблизительно Е , может превысить максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе. Поэтому, прежде чем проверять транзистор омметром, необходимо выяснить, чему равны э.д.с. Е и внутреннее сопротивление R вномметра, сравнить ток I и напряжение U с предельными для данного типа транзистора значениями прямого тока и обратного напряжения. После такой проверки можно считать, что транзистор является исправным. Но этого недостаточно, чтобы сделать заключение о его пригодности для данной конструкции, — он еще должен иметь заданный статический коэффициент передачи тока базы. Значит, нужно измерить этот параметр, прежде чем впаивать этот транзистор в собираемое устройство.