Юрий Почанин - Конструкции и монтаж фотоэлектрических модулей

Структура каскадных солнечных элементов (КСЭ) с гетеререходами (гетеропереход – контакт двух различных полупроводников) предусматривает не менее двух элементов из полупроводниковых элементов разных типов, в которых специально подобраны значения ширины запрещенной зоны.

Двухкаскадные солнечные элементы различных типов были созданы в начале 80-х годов XX века. Каскадные солнечные элементы, применяемые в настоящее время в космических аппаратах, содержат третий каскад с германиевым p-n-переходом. В это же время начались исследования возможности создания четырех-, пяти-, а возможно и еще более многокаскадных структур, которые позволили бы реализовать высокие значения КПД в солнечных элементах. В таблице 2.1. представлены значения КПД каскадных СЭ. Стоит отметить, что столь высокие показатели КПД позволяют уменьшить стоимость получаемой солнечной энергии почти в 2 раза в сравнении с солнечными батареями на основе кристаллического кремния.

Таблица 2.1. Показатели КПД в % для переходов каскадных СЭ

Теоретическое значение КПД

Ожидаемое значение КПД

Реализованное значение КПД

1 p-n-переход

30

27

25,1

2 p-n-перехода

36

33

30,3

3 p-n-перехода

42

38

31,0

4 p-n-перехода

47

42

–

5 p-n-переходов

49

44

–

Весьма перспективны каскадные батареи на основе аморфного гидрогенизированного кремния ( a Si:H) и сплавов на его основе, (кремний-германий, SiGe), состоящие из трех элементов с различной шириной запрещенной зоны. Аморфный кремний содержит водород, который блокирует оборванные связи кремния, поэтому он является гидрогенизированной формой кремния. Гидрогенизированный аморфный кремний является прямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны 1,8 эВ и высоким коэффициентом оптического поглощения. Это означает, что пленка толщиной всего несколько микрон поглотит большую часть солнечного излучения. При легировании пленки аморфного кремния германием ширина запрещенной зоны уменьшается, а при добавлении углерода – увеличивается. Это позволяет создавать солнечные элементы с двумя или тремя гетеропереходами, перекрывающими практически весь солнечный спектр. Верхний слой, поглощающий коротковолновую область солнечного спектра, сформирован из сплава на основе a-Si:H с шириной оптической щели 1,8 эВ. Для серединного элемента в качестве слоя i-типа использован сплав a-SiGe:H с содержанием германия ~10–15%. Ширина оптической щели данного слоя (1,6 эВ) идеальна для поглощения зеленой области солнечного спектра. Нижняя часть СЭ поглощает длинноволновую часть спектра, для этого используется i-слой a-SiGe:H с концентрацией германия 40–50%. Непоглощенный свет отражается от заднего контакта на основе Ag/ZnO/ Все три элемента каскадной СБ связаны между собой сильнолегированными слоями, образующими туннельные переходы между соседними элементами. Слои, формирующие туннельные переходы, должны быть предельно тонкими (в нанометровом диапазоне) для минимизации поглощения света, в то время как фотоактивньге слои должны быть примерно на 2 порядка толще. Решающим же обстоятельством для экономически оправданного использования многопереходных фотоэлементов является тот факт, что они могут весьма эффективно работать при высоко конценгрированном солнечном облучении (вплоть до 2000-кратного). Это открывает широкие перспективы уменьшения стоимости и поверхности солнечных элементов и, как следствие, снижения стоимости солнечной электроэнергии.

Ученые ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН предложили солнечные энергоустановки (СФЭУ) на основе высокоэффективных концентраторных фотоэлектрических модулей с линзами Френеля и КСЭ с КПД 36-40 % на основе наногетероструктур. Важным достоинством разработанных многопереходных СЭ III-V является то, что они эффективно преобразуют в электричество концентрированное солнечное излучение со степенью концентрации К = 500- 1 000х, что не могут делать солнечные элементы на основе кремния.

Известны два способа выполнения преобразования солнечной энергии посредством каскадных солнечных элементов. Первый из этих способов предусматривает использование оптических фильтров, имеющих зеркальную поверхность, второй – создание элементов с переходами, расположенными последовательно вдоль хода солнечных лучей. В случае использования солнечных фильтров солнечное излучение будет разлагаться на несколько пучков, каждый из которых должен быть направлен на конкретный элемент с согласованными характеристиками распределения излучения. В случае использования фотопреобразователей с последовательно расположенными элементами солнечное излучение должно в первую очередь попадать на широкозонный материал. Фотоны с высокой энергией будут поглощаться в первом элементе, остальные фотоны попадут на второй элемент, который также будет поглощать фотоны с наиболее высокой энергией. Оставшиеся фотоны поступят на третий элемент. Этот процесс селективного поглощения будет продолжаться до тех пор, пока солнечное излучение не попадет на элемент с минимальной шириной запрещенной зоны. Подобная конструкция обеспечивает использование существенно большей части солнечного излучения и дает возможность получить высокий КПД.