Николай Воронов - Знак вопроса, 2005 № 03

Известно, что при передаче на большие расстояния электроэнергия для уменьшения токовых потерь преобразуется в высоковольтную с напряжением до 750 кВ. И, как показывает практика, с повышением напряжения роль электронов как переносчиков электроэнергии уменьшается. Свободных электронов просто начинает не хватать, и роль переносчиков электрической энергии выполняют частицы электростатического поля. Электроны тоже вносят свой вклад в передачу высоковольтной энергии, но главными переносчиками ее становятся структуры электрического поля.

Электрических зарядов в природе два, соответственно в ТЗЭС включены две частицы — электрический протон 3.0.1 и антиэлектрический протон 3.0.2, именно с помощью их и происходит в основном перенос высоковольтной энергии.

Свободные электроны в линиях с переменным напряжением выполняют вспомогательную роль. Длина их пробега в проводниках, как правило, не больше нескольких сантиметров, да и вообще их поток можно прервать. Например, включив в линию конденсатор соответствующей емкости. При этом передача электроэнергии будет сохранена. Частицы электрического поля перенесут энергию через диэлектрик конденсатора.

Вернемся к рассмотрению экспериментов В. В. Авраменко. С позиций ТЗЭС на выводе 2 обмотки трансформатора избыток структур 3.0.1, пропорциональный по величине напряжению, периодически заменяется на избыток структур 3.0.2.

Протоноподобные структуры 3.0.1 (или 3.0.2) со скоростью, в тысячи раз опережающей скорость электронного потока в проводнике, поступают на полупроводниковые диоды и элементы схемы, расположенные за ними. При этом и резистор R, (в схеме рис. 2), имеющий сопротивление 2–5 Мом, для структур 3.0.1 и структур 3.0.2 практически не является сопротивлением.

Механизм распространения структур 3.0.2 по проводнику или диэлектрику можно, с позиций ТЗЭС, представить упрощенно следующим образом:

Структуры 3.0.2 притягиваются протонами, набирают скорость, пролетают мимо них к другим, более активным протонам и так далее. Структуры 3.0.1 подобным образом ведут себя со свободными электронами и электронами, входящими в атомы, но магнитоактивными в определенные моменты.

В результате структуры 3.0.1 (3.0.2) способны перемещаться не только в проводниках, но и в диэлектриках.

В первом варианте схемы В. В. Авраменко путь перемещения структур 3.0.1 и 3.0. 2 замыкается на обкладках конденсатора, собственной емкостью электростатического вольтметра и паразитной емкостью разрядника. Данные емкости способны накапливать на одной обкладке зарядоактивные протоны 5.0.1. На другой обкладке конденсаторов собираются свободные электроны 4.0.2. На обкладке конденсатора их удерживает поток структур 3.0.1 от активных протонов с противоположной пластины конденсатора.

По мере накопления в диэлектриках конденсаторов структур 3.0.1, 3.0.2, обслуживающих активные протоны и электроны, в конденсаторах создается заряд, достаточный для переноса электронов с контакта А разрядника на контакт Б, возникает искра. В результате недостаток электронов на контакте Б компенсируется с контакта А. Однако уже при первой полуволне, состоящей из структур 3.0.1, электроны из зоны контакта Б частично отсасываются, что приводит к появлению положительного потенциала на нижней обкладке конденсатора и избытка структур 3.0.1 в зоне контакта 1, поступивших через диэлектрик конденсатора, а не через диод Д. Порция электронов, отобранная из зоны Б с помощью структур 3.0.1, поступивших от протонов с обкладки Б, засасывается через диод Д, в зону А и компенсирует избыток структур 3.0.1.

Замешкавшиеся по пути электроны и электроны, собравшиеся двигаться к трансформатору со скоростью несколько сантиметров в секунду, последующей полуволной из структур 3.0.2 заталкиваются в зону А. Данная полуволна из структур 3.0.2, казалось бы, через верхний диод должна высосать из зоны А положительный заряд, эквивалентный числу электронов 4.0.2, отобранных предыдущей полуволной из зоны Б. Однако роль положительных зарядов выполняют протоны 5.0.1, а они хоть и являются зарядоактивными, но жестко привязаны к структуре материала обкладки конденсатора. В результате во всех трех разновидностях схем В. В. Авраменко происходит периодический заряд зон А отрицательным зарядом, а зон Б положительным. При этом по проводнику Л текут только потоки из структур 3.0.1 чередующиеся с потоками из структур 3.0.2.