Генрих Бурмин: Штурм абсолютного нуля

Особо интересные явления наблюдаются, если туннельный контакт состоит из двух сверхпроводников.

Тогда при прохождении через контакт тока, величина которого не превышает некоторое критическое значение, на контакте падения напряжения не возникает: в цепи протекает незатухающий постоянный электрический ток. Это явление получило название стационарного эффекта Джозефсона.

Эффект Джозефсона: 1 — сверхпроводник; 2 — изолятор; 3 — вольтметр; 4 — амперметр. А — при прохождении через туннельный контакт сверхпроводящего тока, величина которого меньше критического, напряжение на контакте равно нулю. В цепи протекает незатухающий ток. Б — при прохождении через туннельный контакт тока, величина которого больше критического, на контакте возникает падение напряжения, и происходит излучение электромагнитных волн.

Если же величина тока превышает критическую, то на контакте возникает падение напряжения. При этом наблюдается излучение электромагнитных волн. Иными словами, при постоянной разности потенциалов возбуждается переменный ток. Это так называемый нестационарный эффект Джозефсона.

Эффект Джозефсона наблюдается также, если разделить два сверхпроводника слоем нормального, то есть не сверхпроводящего, металла. В этом случае «стенка» может быть сравнительно «толстой» — в десятки и сотни нанометров.

Существуют и другие способы создания контактов, в которых проявляется эффект Джозефсона.

Вот некоторые из них.

Проволоку из сверхпроводника, например ниобия, заостряют, а затем острие прижимается к куску ниобия. Получается так называемый точечный сверхпроводящий контакт.

Между двумя сверхпроводниками можно проложить своеобразный «мост» — микроскопическое сужение (его площадь равна примерно одному квадратному микрометру) между двумя сверхпроводящими пленками.

Это соединение так и называется мостиковым контактом.

Общим для всех перечисленных систем является наличие «слабого» звена или, иными словами, слабой связи между двумя сверхпроводниками. Поэтому они получили название слабо связанных сверхпроводников.

Примечательно, что двадцатидвухлетний студент Кембриджского университета Брийан Джозефсон открыл в 1962 году эффект, названный его именем: он его вычислил на основании теории сверхпроводимости.

В 1963 году американские физики П. Андерсон и Дж. Роуэл экспериментально доказали наличие стационарного эффекта Джозефсона. А в 1965 году харьковские ученые И. К. Янсон, В. М. Свистунов и И. М. Дмитренко впервые обнаружили электромагнитное излучение, возбуждаемое при появлении напряжения на контакте Джозефсона.

За свое открытие Джозефсон был удостоен Нобелевской премии.

Напомним, что при прохождении через джозеф- соновский контакт тока, величина которого меньше критической, падение напряжения на переходе равно нулю. Если же величина тока превышает критическую, то на переходе возникает падение напряжения.

Значит, элемент Джозефсона имеет два устойчивых состояния: наличие и отсутствие напряжения.

В криотронах Джозефсона, созданных на основе слабой связи, время переключения равно сотым долям наносекунды, что в тысячу раз меньше, чем у пленочных криотронов. Энергия, затрачиваемая на единичное переключение, чрезвычайно мала. Чтобы выразить ее в долях джоуля, пришлось бы после запятой перед первой значащей цифрой написать семнадцать нулей.

Математики в таких случаях применяют сокращенную запись, используя отрицательную степень. Итак, энергия, затрачиваемая на единичное переключение криотрона Джозефсона, равна 10 -18джоулей! При этом на площади в один квадратный сантиметр могут быть размещены свыше тысячи элементов.

Все эти качества слабых сверхпроводников открывают прекрасные перспективы в области разработки новых поколений компьютеров, отличающихся компактностью и быстродействием.

В последнее время в руководствах и справочниках по измерительной технике все чаще можно встретить загадочное для непосвященных слово: сквид.

Что такое сквид?

Это название произошло из начальных букв английских слов SQID (Superconducting Quantum Interference Device), что в переводе на русский язык значит: сверхпроводящее квантовое интерференционное устройство.