Пример:
BIN 100 1 0 GFAST
В13 22 14 23 GNOM 2.0
С — конденсатор
Общая форма:
С [имя] <+узел> <-узел> <���имя модели> <���емкость> [IC = начальное значение]
Пример:
СLOAD 15 0 20pF
CFDBK 3 33 CMOD 10pF IC=1.5v
D — диод
Общая форма:
D[имя] <+узел> <-узел> <���имя модели> [область значений]
Примеры:
DCLAMP 14 0 DMOC
D13 15 17 SWITCH 1.5
Е — источник напряжения, управляемый напряжением
Общие формы:
Е[имя] <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <���коэффициент усиления>
Е[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <+ узел управления> <- узел управления> <���значения полиномиальных коэффициентов>;
Е[имя] <+узел> <-узел> VALUE = {<���выражение>}
Е[имя] <+узел> <-узел> TABLE{<���выражение>}<(входное значение)(выходное значение)>*
Е[имя] <+узел> <-узел> LAPLACE={<���выражение>}{<���изображение>}
Е[имя] <+узел> <-узел> FREQ {<���выражение>}<(частота в дБ, фаза в град)>
Примеры:
EBUFF 1 2 10 11 1.0
ЕАМР 13 0 POLY(1) 2 6 0 500
ENLIN 100 101 POLY(2) 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2 0.005
ESQRT 10 0 VALUE=(SQRT(V(5)))
ETAB 20 5 TABLE (V(2)) (-5v,5v)(0v,0v)(5v,-5v)
E1POLE 10 0 LAPLACE (V(1)) (1/(1 + s))
EATTEN 2 0 0 FREQ (V(100))) (0,0,0 10,-2,-5 20,-6,-10)
F — источник тока, управляемый током
Общие формы:
F[имя] <+узел> <-узел> <���имя управляющего устройства V> <���коэффициент усиления>
F[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <���имя управляющего устройства V>* <���значения полиномиальных коэффициентов>*
Примеры:
FSENSE 1 2 VSENSE 10.0
FAMP 13 0 POLY(1) VIN 500
FNLIN 100 101 POLY(2) V1 V2 0.0 0.9 0.2 0.005
G — источник тока, управляемый напряжением
Общие формы:
G[имя] <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <���крутизна>
G[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <+узел управления> <-узел управления>* <���значения полиномиальных коэффициентов>*
G[имя] <+узел> <-узел> VALUE = (<���выражение>)
G[имя] <+узел> <-узел> TABLE(<���выpaжeниe>)<(вxoднoe значение)(выходное значение)>*
G[имя] <+узел> <-узел> LAPLACE =(<���выражение>)(<���изображение>)
G[имя] <+узел> <-узел> FREQ {<���выражение>}<(частота в дБ, фаза в град)>
Примеры:
GBUFF 1 2 10 11 1.0
GAMP 13 0 POLY (1) 2 6 0 500
GNLIN 10 0 101 POLY (2) 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2 0.005
GSQRT 10 0 VALUE = (SQRT(V(5)))
GTAB 20 5 TABLE (V(2)) (-5v,5v)(0v,0v)(5v,-5v)
G1POLE 10 0 LAPLACE (V(1)) (1 / (1 + s))
GATTEN 2 0 0 FREQ (V(100)) (0,0,0 10,-2,-5 20,-6,-10)
H — источник напряжения, управляемый током
Общие формы:
Н[имя] <+узел> <-узел> <���имя управляющего устройства V> переходное сопротивление>
Н[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <���имя управляющего устройства V>* <���значения полиномиальных коэффициентов>*
Примеры:
HSENSE 1 2 VSENSE 10.0
НАМР 13 0 POLY (1) VIN 500
HNLIN 100 101 POLY (2) V1 V2 0.0 0.9 0.2 0.005
I — источник тока
Общая форма:
I[имя] <+узел> <-узел> [[DC] <���значение>] [АС <���значение> [фазовый угол]
Спецификации формы тока:
ехр( )
pulse(
|
)
Примеры:
IBIAS 13 0 2.3mA
IAC 2 3 AC 0.01
IACPHS 2 3 AC 0.01 90
IPULSE 1 0 PULSE (-1mA 1mA 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)
I3 26 77 DC .002 AC 1 SIN(.002 .002 1.5MEG)
J — полевой транзистор (JFET)
Общая форма:
J[имя] <���узел стока> <���узел управляющего электрода> <���узел истока> <���имя модели> [область];
Примеры:
JIN 100 1 0 JFAST
J13 22 14 23 JNOM 2.0
K — катушки индуктивности с магнитной связью
Общие формы:
K[имя] L[имя] L[имя] <���коэффициент связи>
K[имя] L[имя] L[имя] <���коэффициент связи> <���имя модели> [значения размеров]
Примеры:
KTUNED L3OUT L4IN .8
KXFR1 LPRIM LSEC .99
KXFR2 L1 L2 L3 L4 .98 KPQT_3C8
L — катушка индуктивности
Общая форма:
L[имя] <+узел> <-узел> [имя модели] <���индуктивность> [IС = значение]
Примеры:
LLOAD 15 0 20mH
L2 1 2 .2е-6
LCHOKE 3 42 LMOD .03
LSENSE 5 12 2uH IC=2mA
М — МОП-транзистор (MOSFET)
Общие формы:
М [имя] <���узел стока> <���узел управляющего электрода> <���узел истока> <���узел корпуса/подложки> <���имя модели> [L-значение] [W=значение] [AD=значение] [AS-значение] [PD=значение] [NRD=значение] [NRS=значение] [NRG=значение] [NRB=значение]
|
Читать дальше
Конец ознакомительного отрывка
Купить книгу