Михаил Гук - Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Микросхемы второго поколения секторированы — ячейки группируются в блоки, допускающие независимое стирание (асимметричное разбиение — Boot Block и симметричное — Flash File ). Длительная операция стирания одного блока может прерываться для считывания данных других блоков, что значительно повышает гибкость и производительность устройства. Микросхемы имеют более сложный внутренний управляющий автомат и в них введен регистр состояния, что позволяет разгрузить внешний процессор и программу от забот по отслеживанию длительности операций программирования и стирания, а также упростить эти процедуры.

В отличие от микросхем первого поколения, в шинном цикле записи адрес и данные фиксируются по положительному перепаду WE#. Низкий уровень дополнительного управляющего сигнала RP#(в первых версиях обозначался как PWD#) предназначен для перевода микросхемы в режим с минимальным потреблением. В этом режиме модификация содержимого памяти невозможна. Соединение этого вывода в нормальном режиме (когда не требуется перезапись Boot-блока) с системным сигналом RESET#предохраняет микросхему от выполнения ложных команд, которые могут появиться в процессе подачи питания.

Внутренние операции стирания и программирования выполняются после посылки соответствующих кодов во внутренний регистр команд . Команды приведены в табл. 7.26. Как и в первом поколении, этот регистр для большинства команд безадресный, но команды программирования и стирания посылаются по требуемому адресу ячейки (блока). Отработка операций внутренним управляющим автоматом отображается соответствующими битами регистра состояния SR(Status Register), по значению которых внешняя программа может получить информацию о результате выполнения и возможности посылки следующих команд. Чтение регистра SRвыполняется по специальной команде; есть и команда его очистки. Назначение бит регистра состояния описано ниже.

♦ SR.7— WSMS(Write State Machine Status) — состояние управляющего автомата:

• 0 — Busy (занят операцией стирания или программирования);

• 1 — Ready (свободен).

♦ SR.6— ESS(Erase Suspend Status) — состояние операции стирания:

• 0 — стирание завершено или выполняется;

• 1 — стирание приостановлено.

♦ SR.5— ES(Erase Status) — результат стирания блока:

• 0 — блок стерт успешно;

• 1 — ошибка стирания.

♦ SR.4— PS(Program Status) — результат программирования байта:

• 0 — байт записан успешно;

• 1 — ошибка записи.

♦ SR.3— VPPS(V PPStatus) — состояние V PPво время программирования или стирания:

• 0 — напряжение было в норме;

• 1 — зафиксировано понижение напряжения, и операция прервана.

♦ SR[2:0]— зарезервированы.

Таблица 7.26. Команды микросхем флэш-памяти Intel второго поколения

¹ Здесь X обозначает несущественный адрес, M_Id и D_Id — идентификаторы производителя и устройства, SRD — данные, считанные из регистра состояния, PA и PD — адрес и данные программируемой ячейки, BA — адрес блока.

² Альтернативный код команды программирования; доступен для микросхем емкостью 2, 4 и 8 Мбит.

Ниже описано назначение команд.

♦ Read Array/ Reset— чтение массива памяти (перевод в режим, совместимый с EPROM) и прерывание операций стирания и программирования.

♦ Read ID— чтение идентификаторов производителя и устройства.

♦ Read Status Register— чтение регистра состояния.

♦ Clear Status Register— сброс регистра состояния.

♦ Erase Setup/Erase Confirm— подготовка и стирание блока. В отличие от микросхем первого поколения, все внутренние операции, необходимые для стирания (обнуление ячеек блока, стирание и верификация), выполняются автоматически. При получении команды в регистре состояния устанавливается признак занятости ( SR.7=0) и любая шинная операция чтения микросхемы будет передавать данные этого регистра. Внешняя программа, периодически опрашивая регистр состояния, дожидается окончания выполнения стирания (когда SR.7=1). Результат стирания определяется по значению бит 3, 4, 5 (их нулевое значение соответствует успешному выполнению операции).