Илья Зайцев - Применение квантового туннельного эффекта код

Так как нам необходим контакт туннельного эффекта с химической системой, мы применяем отличающийся от процесса в твердом теле, то есть контакта проводник-полупроводник, процесс туннельной эмиссии электронов (примеры электронной эмиссии на поверхность полупроводника – см. лит. 3, 13), выход электронной плазмы на поверхность твердого тела в результате преодоления квантовыми частицами энергетического барьера. Квантовой частицей, преодолевающей энергетический барьер, туннелирующей, в данной энергетической системе является электрон (лептон).

Уменьшение ширины энергетического барьера до величины, преодолимой квантовыми частицами, производим воздействием на полупроводник внешним электромагнитным полем, то есть относительно рабочего тела производим процесс туннельной эмиссии электронного газа, плазмы (вырожденной плазмы, далее – плазмы) на поверхность твердого тела, полупроводника воздействием внешнего электромагнитного поля. Холодная плазма, так как ее температура относительно невысока, поступает на поверхность рабочего тела, где образует пленку, контактный слой электронного газа.

Данное образование, физическое тело, пленка вырожденной плазмы, взаимодействует с низкомолекулярным неорганическим соединением, водой, так что энергия химических связей молекул соединения меньше, и, соответственно, энергетическая трата на разложение воды, то есть на разрыв химических связей, уменьшается. Процесс эффективного энергетического и массообмена плазмы с низкомолекулярным неорганическим соединением для данного взаимодействия материальных объектов креанируется максимально большой площадью контакта плазмы с химическим соединением, мы применяем контакт тонкой пленки жидкости с плазменной пленкой на поверхности твердого тела полупроводника, эмиттера электронного газа (см. лит. 16).

Рассмотрим химизм взаимодействия. В процессе взаимодействия тонкой водяной пленки поверхность полупроводникового эмиттера, покрытая плазмой, выполняет функцию щелочного металла на первой стадии процесса взаимодействия с водой, то есть до химического взаимодействия ядер атомов с реагентом, ионов металла, процесс взаимодействия электронных оболочек атомов щелочного металла с водой. Полупроводниковый (арсенид-галлиевый) эмиттер выполняет функцию катализатора – восстановителя молекул обрабатываемого ракетного топлива.

Рассматриваем несколько вариантов образования пленок жидкости в данной аппаратной схеме. Первый вариант ЭУ, техническая схема стационарная. По поверхности эмиттера, стационарной пластины, покрытой тонким слоем полупроводника, расположенной под определенным углом и установленной на горизонтальной твердой поверхности, стекает жидкость, процесс образования и движения пленки свободного истечения жидкости по твердой поверхности. Стационарный вариант необходим для предварительного расчета энерговыхода от энергетического устройства, то есть в опытной установке рассмотрим вариант формирования тонкой пленки расчетной толщины, в данном процессе распределение жидкости в пространстве-времени расчетное, то есть массообмена на поверхности твердого тела.

В данной схеме для формирования пленки необходимых заданных параметров используем вращаемое от привода твердое тело, экран-эмиттер, на поверхность объекта подается заданное количество жидкости под определенным давлением. В данном варианте процесса мы формируем пленку и, соответственно, массообмен жидкости с необходимыми расчетными параметрами. И второе: так как применяем центробежные силы, процесс частично независим от действия гравитационного поля, то есть процесс выработки энергетической установкой энергии независим от расположения ЭУ в пространстве.

Применение воды в энергетических устройствах методологическое, не является самоцелью, существует огромное количество устойчивых эндотермических соединений, в том числе водородсодержащих соединений, в квантовых энергетических устройствах применимо в том числе огромное количество других соединений. Развивается водородная энергетика, СВЧ-энергетика.