Следует поставить важный вопрос, обсуждение которого еще более прояснит соотношения между сингонией, классом симметрии и элементом симметрии. Расположены ли элементы симметрии в кристалле произвольно или и здесь выявляются закономерные соответствия? Оказывается, что элементы симметрии тесно связаны с кристаллографическими осями. Для отдельных сингонии установлены следующие главные направления (параллельные лучу зрения):
Сингония |
Главные направления |
Триклинная |
Отсутствуют |
Моноклинная |
Ось b |
Ромбическая |
Ось а, ось b, ось с |
Тетрагональная Гексагональная (Тригональная) |
Ось с, оси а, биссектриса угла между осями а |
Кубическая |
Оси а, пространственные диагонали куба, диагонали граней куба |
Главными направлениями в кристалле называются направления, в которых располагаются элементы симметрии. Отсюда следует, что элементы симметрии могут находиться только в строго определенных направлениях.
В триклинной сингонии главное направление не установлено, поскольку придавать направление оси идентичности 1 или 1, т. е. точке, было бы бессмысленно. В моноклинной сингонии достаточно одного направления и для класса 2/m, поскольку эта комбинация оси и плоскости располагается в кристалле таким образом, что нормаль (перпендикуляр) к двойной оси ориентирована параллельно плоскости симметрии. Для других сингонии необходимо указывать три главных направления, хотя в кристаллах этих сингонии может присутствовать большое количество направлений, но два или даже три из них являются равноценными (например, в тетрагональной сингонии а=b или в кубической а = b = с), так что указание одного из таких направлений включает в себя и остальные, ему адекватные.
Поскольку каждый класс симметрии подчиняется какой–либо одной сингонии, с помощью главных направлений определяется положение элементов симметрии в пространстве. Само собой разумеется, что существует и обратная связь, в соответствии с которой кристаллографическим осям отвечают определенные элементы симметрии. Примеры:
Класс симметрии |
Сингония |
Положение элементов симметрии |
2/m |
Моноклинная |
2 || b m_ |_ b |
2/m 2/m 2/m |
Ромбическая |
2 || а 2 ||b 2 || с |
4/m 2/m 2/m |
Тетрагональная |
т _ |_ a m_ |_ b m_ |_ с 4 || с 2 || а, b 2 || биссектрисам углов между осями а m_ |_ c т_ |_ a, b m _ |_ биссектрисам углов между осями а |
6 |
Гексагональная |
6||с |
432 |
Кубическая |
4||а, b , с 3 || четырем пространственным диагоналям куба 2 || шести диагоналям граней куба |
|| —параллельно
_ |_ — перпендикулярно
Пример класса 6 показывает, что не в каждом классе симметрии все главные направления соответствующей сиигонии сопровождаются элементами симметрии.
Внешнюю огранку кристаллов составляют грани, ребра и углы, которые связаны между собой соотношением Эйлера: число граней+число углов=число ребер +2.
Подобно элементам симметрии следует привести также грани и ребра кристаллов в соответствие с кристаллографическими осями и тем самым с элементами симметрии.
Легко представить, что каждая грань, рассматриваемая в пространстве, заключенном в систему координатных осей, должна отсекать, пересекать одну, две или три оси. Различают ряд положений граней, представленных на рис. 6.
Ребра кристаллов также обозначаются тройным индексом: ось а и все параллельные ей ребра имеют индекс [100], ось b — [ 010] и ось с — [ 001].
Общий символ грани, пересекающей все три оси, — ( hkl), ребра — [ uvw]. Обратите внимание на различную форму скобок!
Необходимо упомянуть еще одну особенность. Если грань отсекает на оси а одну часть, на оси b — две части и располагается параллельно оси с, то ее индекс будет не (120), а (210). Для индицирования граней, согласно Миллеру, применяются обратные значения для длин отрезков по осям. Грань отсекает отрезки a, b и с в отношении 1: 2: оо. Обратные значения составляют 1/1: 1/2:1/оо, а приведенные к целым числам — (210).
Рис. 6.
Рис. 7.
Для индицирования ребер, наоборот, используется прямое отношение отрезков. Благодаря применению обратных и прямых отрезков достигается одинаковое написание индексов для некоторых граней и нормалей к ним (рис. 7).
Читать дальше