Адриан Вонг - Справочник по параметрам BIOS

Количество циклов строки (tRC)= минимальное количество циклов активации строки (tRAS)+ время обновления строки (tRP).Поэтому перед настройкой количества циклов строки следует определить значения параметров tRAS и tRP.

Если количество циклов строки слишком велико, это может привести к снижению производительности, так как деактивация активных строк после завершения цикла задерживается. При уменьшении количества циклов новый цикл начнется быстрее.

Однако, если количество циклов строки слишком мало, новый цикл может начаться до завершения обновления активной строки. Это снижает производительность системы и может вызвать потерю или повреждение данных.

Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение в соответствии с формулой: tRC = tRAS + tRP. Например, если вы настроили tRASна 7 циклов, а tRPна 4 цикла, вы получаете значение, равное 11 циклам.

SDRAM Trcd Timing Value (Значение SDRAM по времени Trcd)

Обычные опции:2, 3, 4.

Эта функция BIOS позволяет настроить задержку между сигналами RAS и CAS. Необходимая задержка модуля памяти указана в его спецификации. Для JEDEC это вторая цифра в последовательности из трех или четырех цифр.

Так как задержка добавляется в момент обновления строки или активации новой строки, уменьшение задержки позволяет повысить производительность. Рекомендуем изменить значение данной опции с 3на 2.

Если вы зададите слишком низкое значение модуля (которое он не может поддерживать), система будет работать нестабильно. Если после уменьшения задержки RAS-to-CAS ваша система начала давать сбои, увеличьте значение данной функции.

Интересно: если вы увеличите время ожидания CAS, это позволит модулю памяти работать с более высокой скоростью. Поэтому вы можете увеличить время ожидания CAS, если достигли предела при разгонке модулей SDRAM.

SDRAM Trp Timing Value (Значение SDRAM по времени Trp)

Обычные опции:2, 3, 4.

Эта функция BIOS задает количество циклов, которое требуется RAS, чтобы обновиться перед активацией другой строки. Если время обновления tRP слишком велико, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2производительность повышается, потому что новая строка будет активирована раньше.

Однако времени обновления 2может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. В таких случаях активная строка может потерять свое содержимое, так как оно возвращается в банк памяти, а строка деактивируется. Это может привести к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считывать данные из активной строки или записывать их.

Чтобы получить оптимальную производительность, уменьшите значение функции SDRAM Trp Timing Valueдо 2.Если система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение до 3или 4.

SDRAM Bank-to-Bank Delay (Задержка данных при передаче между банками SDRAM)

Обычные опции:2 Cycles, 3 Cycles.

Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATEдля одного и того же устройства DDR. Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.

При работе на обычном компьютере рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банк-банк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR.

Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.

SDRAM Trrd Timing Value (Значение SDRAM по времени Trrd)

Обычные опции:2 Cycles, 3 Cycles.

Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATEдля одного и того же устройства DDR. Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.

При работе на обычном компьютере рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банк-банк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR.