А. Панов - Большой космический обман США. Часть 5. Полеты в далекий космос и марсианский обман США

О влиянии радиации, в данном случае радиации Радиационных Поясов Юпитера на электронное оборудование: « Действие радиации на конструкционные материалы изделий электронной техники. В настоящее время установлено [26—36], что фундаментальные параметры реальных кристаллов (электро- и теплопроводностьмеханические, оптические и магнитные свойства, коэффициенты диффузии и др.) связаны с точечными дефектами. Следовательно, эти дефекты (и их вторичные образования) будут определять комплекс электрических параметров тех элементов электронной техники, основой которых является кристаллическая структура. В результате воздействия ядерных излучений во всех твердых телах независимо от типа структуры могут происходить смещения атомов с образованием вакантных узлов и внедренных атомов. По мере накопления этих дефектов, когда их количество становится сравнимым с исходным количеством, присущим этому материалу или изделию, электрофизические свойства начинают существенно меняться».

Действие радиации на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. В настоящее время имеется значительное количество работ, посвященных исследованию механизмов деградации биполярных транзисторов при воздействии проникающего излучения. Часть из них широко обобщена, например, в монографиях В. С. Вавилова, Н. А. Ухина и Ф. Ларина: «Экспериментально доказано, что при облучении большинство параметров биполярных транзисторов изменяется. Однако среди них можно выделить основной – статический коэффициент передачи тока, уменьшение которого при облучении ограничивает радиационную стойкость многих классов схем на транзисторах.

В общем случае изменение этого параметра обусловлено изменением как объемных, так и. поверхностных свойств полупроводников. Как показано выше, излучения, теряющие основную часть своей энергии в процессе упругого рассеяния, создают, главным образом, радиационные дефекты в объеме полупроводника, что приводит к изменению времени жизни, концентрации и подвижности носителей заряда. Излучения, которые при прохождении через вещество теряют свою энергию за счет неупругого рассеяния, ионизируют газ в корпусе прибора, генерируют и возбуждают свободные носители заряда, что может привести к изменению поверхностных свойств полупроводников вследствие захвата генерируемых носителей поверхностными уровнями или осаждения заряженных ионов, на поверхность кристалла». [13] Действие радиации на пьезокварцевые материалы и изделия в условиях РПЮ тоже должны были привести к катастрофическим последствиям: «Пьезокварцевые изделия являются наиболее ответственными функциональными элементами радиоэлектронной аппаратуры. Благодаря удачному сочетанию механических, электрических и оптических свойств кристаллический кварц занял исключительное положение в науке и технике (кварцевые высокостабильные генераторы, электрические фильтры, ультразвуковые устройства). Кварц является соединением атомов кремния с атомами кислорода. Хотя окись кремния – широко распространенное на земле соединение, однако прозрачные кристаллы кварца, пригодные для использования в электронной промышленности, встречаются довольно редко». [14] Нет сведений о том, как решили эти проблемы!

На этом проблемы полета в далеком космосе сквозь радиационные пояса планет гигантов не заканчиваются: «Радиация тем опаснее для электроники, чем та миниатюрнее. Автор Антонина Кузьмина. Радиация может стать более серьёзной проблемой для современной микроэлектроники, чем считалось. Если быть совершенно точным, полагают исследователи из Университета Вандербильта (США), по крайней мере, в десять раз более серьёзной. Учёные, использовавшие метод когерентной акустической фононной спектроскопии для анализа воздействия ионизирующей радиации на полупроводниковую электронику, выявили, что по мере миниатюризации уязвимость транзисторов растёт вплоть до того, что отдельное устройство может быть выведено из строя единственным ионом». [14] На поверхности Юпитера имеются источники микроволнового излучения: «Наблюдение излучения Юпитера в микроволновом диапазоне привело к следующему удивительному открытию: в 1958 г. Слонейкер 6 · 7 обнаружил нетепловое излучение Юпитера на волне 10 см». [15] Появляется еще одна проблема: «Микроволновое излучение приводит к существенной модификации примесно-дефектной структуры исследуемых полупроводников». [16]

Чтобы понять, что полет беспилотного аппарата с электроникой, рядом с Юпитером через РПЮ это не прогулка по аллее, необходимо знать материалы о воздействии рентгеновского излучения на микросхемы: «Механизм повреждения, что же происходит с микросхемой, когда она подвергается воздействию рентгеновского излучения? Механизмы повреждений различаются от технологии к технологии, например, для современных микросхем важны радиационно-индуцированные токи утечки, а в старых технологиях важную роль играл сдвиг порогового напряжения транзистора. К примеру, при прохождении рентгеновского излучения через транзистор в подзатворном диэлектрике начинает накапливаться заряд, который будет влиять на работу транзистора как дополнительно приложенное напряжение (или как сдвиг порогового напряжения). В результате транзистор будет постоянно „открыт“, что естественно приведет к потере работоспособности схемы. Также уменьшение порогового напряжения транзистора приведет к превышению общего тока потребления микросхемы из-за токов утечки». [17]