Жорес Алферов - Власть без мозгов. Отделение науки от государства

Все развитие кремниевой микроэлектроники было связано прежде всего с прогрессом технологии. Основные активные компоненты — полевой транзистор и биполярный транзистор — физически, так сказать, остались такими же, как были открыты в 1947 году, а вот технология совершила гигантский прогресс. Термин "нанотехнологии" возник так: сегодня масштаб измерений кремниевой микроэлектроники переходит от десятых долей микронов в нанометровый диапазон, 45, 60, 70 нанометров — это то, что сегодня осваивается в опытном производстве, а 13 нанометров — это будущее, и не такое отдаленное. Переход на наноразмеры в гетероструктурах произошел уже давно, а в кремниевой микроэлектронике происходит сегодня. Эти изменения будут иметь существенные физические последствия, могут начать работать квантоворазмерные явления и эффекты.

Несколько слов о втором направлении — гетероструктурах. Здесь основой служит развитие технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур, представляющих собой новый класс материалов, в которых мы управляем всеми основными свойствами. Если до эпохи гетероструктур мы имели материалы, возникшие естественным образом, а в лабораториях мы просто их повторяли, то эпоха гетероструктур привела к созданию материалов, свойства которых определяются, вообще говоря, замыслом и новыми принципами, которые привносятся в ходе создания гетероструктур. С помощью технологических методов мы даже получаем возможность создания того, что называется теперь созданием "искусственных атомов".

Это сразу же очень много дало для электроники. Возникновение сверхбыстрой электроники связано с биполярными гетеротранзисторами и с так называемыми транзисторами на высокой электронной подвижности. Сверхбыстрая электроника существенным образом изменила скорости всех электронных компонентов и сегодня является основными компонентами в космической связи, мобильных телефонах и во многом другом. В наших российских лабораториях искусственные атомы и их ансамбли выращиваются в гетероструктурах, которые позволили создавать принципиально новые типы полупроводниковых лазеров. Лазеры на двойных гетероструктурах позволили сегодня получить коэффициент полезного действия лазеров в семьдесят четыре процента, и это самый высокоэффективный преобразователь электрической энергии в световую.

Сегодня часто говорится о том, что электронные рынки давно поделены, и что России не удастся войти в мировой рынок электронной техники. Но не стоит забывать о том, что соотношение долей мирового рынка на протяжении двадцатого века не раз изменялось. В начале 1970-х годов Соединенные Штаты Америки были основным производителем полупроводниковых электронных компонентов. В начале 1980-х годов конкуренцию США составила Япония, а затем появился третий сегмент, страны Юго-Восточной Азии, и четвертый — это Европа. Эти четыре части примерно равны по объемам производства. Сегодня Китай бурно развивает эту отрасль промышленности и, скорее всего, в будущем станет пятым основным производителем полупроводниковой электроники.

Практически каждые десять лет в мировой электронной промышленности происходила смена размера кремниевых подложек, на которых изготовляются кремниевые интегральные схемы. И сейчас, после десятилетнего срока развития двухсотмиллиметровых кремниевых подложек, происходит массовый переход на трёхсотмиллиметровые. Те предприятия микроэлектронной промышленности, которые используют новейшие кремниевые подложки, сегодня наиболее бурно развиваются. В Европе первое предприятие такого типа "Инфинеон" появилось около Дрездена, в ближайшем будущем планируется создать еще четыре подобных. В целом во всем мире появилось более тридцати новых предприятий на трёхсотмиллиметровых подложках, и более половины из них будет построено в Китае.

В нашей стране существует позиция, что современная промышленная микроэлектроника — очень дорогое удовольствие. Действительно, на создания предприятия на трёхсотмиллиметровой подложке с существенными объемами производства потребуется не меньше двух с половиной миллиардов долларов. Но окупаемость его происходит за шесть-семь лет. Сегодня именно такие предприятия являются основой развития полупроводниковой электроники. Выход России из сырьевой ловушки может произойти только посредством организации самого современного на сегодняшний день полупроводникового производства. Это должно быть производство сверхбольших интегральных схем на трёхсотмиллиметровых подложках с основным топологическим размером в одну десятую микрона, современной оптоэлектронники и сверхбыстрых компонентов гетероструктур. Ведь если мы будем идти поэтапно, то фактически обрекаем себя на полное отставание.