Компьютерра - Журнал Компьютерра №753

Если говорить о зарубежных софтверных компаниях в России, то гегемонии Microsoft у нас, как и во всем мире, пока ничего не угрожает. В то же время, в скором будущем ожидается появление новых представительств других западных корпораций, которые спешат закрепиться на быстрорастущем российском рынке.

Наконец, стоит отметить, что среди пользователей ПО становится все больше женщин: за три года их относительная доля выросла более чем в два раза и достигла 29%. Если тенденция сохранится, то компьютерные программы скоро перестанут быть темой типично мужских разговоров. АБ

Команде химиков из Калифорнийского университета в Санта-Барбаре впервые удалось вырастить на кремниевой подложке прямоугольную нанорешетку из сополимеров. Такие нанорешетки могут продлить жизнь фотолитографии и стать основой технологии производства компьютерных чипов следующих поколений.

Идея использовать так называемые блочные сополимеры для производства чипов не нова. Такие сополимеры состоят по крайней мере из двух различных полимерных цепочек, называемых блоками, которые соединяются друг с другом концами, формируя длинную цепочку. Блоки можно выбрать так, чтобы они на протяжении большей части своей длины стремились отталкиваться друг от друга. Тогда на полупроводниковой подложке удерживаемые за концы и отталкивающиеся в середине блоки могут самоорганизовываться в регулярную пленочную структуру. Ее характерный масштаб - несколько десятков нанометров. Размерами такой структуры легко управлять, выбирая нужную длину блоков. Удалив затем химическим способом блоки одного типа, можно получить на подложке полимерную маску и с помощью обычной литографии, травления и осаждения изготавливать устройства с гораздо меньшими размерами, чем допускают современные технологии.

Все было бы хорошо, но блочные сополимеры всегда самоорганизуются на подложке в похожую на соты гексагональную структуру, а вся технология разработки и производства чипов рассчитана на прямоугольную сетку.

Теперь ученым, наконец, удалось подобрать хитрый "сплав" из двух различных блочных сополимеров, части которых притягиваются друг к другу с помощью водородных связей. В такой системе с помощью многостадийного процесса, включающего облучение ультрафиолетом и травление, удалось добиться самоорганизации полимеров в строго упорядоченный прямоугольный массив с характерным шагом около 20 нанометров. А это примерно вдвое меньше, чем позволяют достичь современные технологии массового производства чипов.

Теперь ученые работают над получением прямоугольных полимерных масок сразу на большой площади подложки и над изготовлением первых образцов чипов путем интеграции полимерной маски в традиционную фотолитографию. Экспериментаторы надеются, что в случае успеха их метод примут на вооружение гранды полупроводниковой индустрии. ГА

Любопытные результаты получили физики из двух немецких университетов при поддержке коллег из Йельского университета. Их новые эксперименты подтверждают, что скольжение без трения на наномасштабах является скорее нормой, а не исключением из правил.

Многие проверенные временем инженерные теории перестают работать, когда размеры устройств не превышают несколько десятков или сотен нанометров. Начиная с восьмидесятых годов прошлого века, ученые время от времени с удивлением обнаруживали, что некоторые идеально гладкие кристаллы размером несколько нанометров способны скользить по различным подложкам практически без трения. В последние годы таких экспериментов стало больше, и теоретики нашли несколько объяснений этому явлению, получившему название "суперскользкость".

Одна из теорий предполагает, что идеально гладкие на атомных масштабах кристаллы должны скользить друг по другу совсем без трения. Силы трения возникают только в том случае, если атомы примесей попадают между поверхностями и начинают за них "цепляться". Однако надежного экспериментального подтверждения эта гипотеза не получила, воспроизводимость результатов таких экспериментов низка, а размеры скользящего образца, коим обычно был кончик сточенной иголки атомно-силового микроскопа, не превышал нескольких нанометров.